功率器件“護身符”：揭秘表面鈍化層的核心科技！功率器件“護身符”：揭秘表面鈍化層的核心科技！
#功率器件表面保護 #聚酰亞胺 #鈍化層 #芯片封裝
深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司
“專精特新”小巨人
高新企業(yè)
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MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)及其正溫度特性
#導(dǎo)通電阻 #正溫度系數(shù) #MOSFET -
深愛半導(dǎo)體發(fā)布全新IPM模塊，高集成方案賦能家電與工業(yè)驅(qū)動！
突破能效瓶頸，駕馭小型化浪潮！面對家電與工業(yè)驅(qū)動領(lǐng)域?qū)Ω咝?、極致緊湊、超強可靠性與成本控制的嚴(yán)苛需求，深愛半導(dǎo)體重磅推出?SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù)，賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)化與可靠性保障！ -
MOSFET米勒平臺原理與應(yīng)對
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深愛 F系列高壓MOSFET ---卓越耐壓與高性價比的平衡之道
在高壓應(yīng)用領(lǐng)域，深愛對FLR和FP技術(shù)進行了深度優(yōu)化。深愛半導(dǎo)體F系列高壓MOSFET通過創(chuàng)新的VLD+浮空場板復(fù)合終端設(shè)計實現(xiàn)了終端結(jié)構(gòu)參數(shù)的精確優(yōu)化、嚴(yán)格的工藝過程控制、量產(chǎn)穩(wěn)定性和一致性的保障，為客戶提供了高可靠性、高性價比的功率器件解決方案。 -
FR MOS反向恢復(fù)特性
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