什么是米勒平臺(tái)？

米勒平臺(tái)是MOSFET/IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程中柵極電壓的停滯階段，表現(xiàn)為Vgs/Vge波形上的平坦區(qū)域。其核心成因是米勒效應(yīng)：柵漏電容（Cgd/Cgc）在開(kāi)關(guān)過(guò)程中通過(guò)反饋?zhàn)饔?，將漏極（或集電極）的電壓變化耦合到柵極，導(dǎo)致等效輸入電容大幅增加，從而延長(zhǎng)柵極充放電時(shí)間。

米勒平臺(tái)的現(xiàn)象與過(guò)程

以MOSFET為例，開(kāi)關(guān)過(guò)程可分為三個(gè)階段：
1.截止區(qū)（Vgs<Vth）：柵極電壓上升，但未達(dá)閾值，器件關(guān)閉。
2.飽和區(qū)（米勒平臺(tái)期）：Vgs超過(guò)閾值后，漏極電壓（Vds）開(kāi)始下降，電流（Id）達(dá)到最大值。Cgd反向充電：柵極驅(qū)動(dòng)電流被Cgd吸收。柵極電壓Vgs保持不變呈現(xiàn)出一段平臺(tái)期，這個(gè)平臺(tái)稱為米勒平臺(tái)。
3.線性區(qū)（完全導(dǎo)通）：Cgd充電完成，Vgs繼續(xù)上升，Vds降至最低。

米勒平臺(tái)的雙刃劍作用

1.負(fù)面影響：開(kāi)關(guān)損耗與風(fēng)險(xiǎn)

延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)時(shí)間：平臺(tái)期阻礙Vgs上升，導(dǎo)致導(dǎo)通/關(guān)斷損耗增加，效率下降。

電壓尖峰與振蕩：源極寄生電感與Cgd耦合可能引發(fā)Vgs尖峰，甚至導(dǎo)致上下管直通損壞。

寄生導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)：半橋電路中，米勒電容的位移電流可能誤觸發(fā)對(duì)管導(dǎo)通，威脅系統(tǒng)安全。

2.巧妙應(yīng)用：緩啟動(dòng)設(shè)計(jì)

米勒平臺(tái)可被逆向利用。通過(guò)增大Cgd或調(diào)整驅(qū)動(dòng)參數(shù)，延長(zhǎng)Vds下降時(shí)間，實(shí)現(xiàn)電源緩啟動(dòng)，避免大電容負(fù)載上電時(shí)的電壓跌落。例如：NMOS/PMOS緩啟動(dòng)電路：利用RC充放電與米勒平臺(tái)協(xié)同，控制電流爬升速率，保護(hù)系統(tǒng)免受沖擊。

如何應(yīng)對(duì)米勒平臺(tái)？

1.優(yōu)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)：選擇低Cgd/Cgc的器件（如超級(jí)結(jié)MOSFET）；采用圖騰柱驅(qū)動(dòng)或負(fù)壓關(guān)斷，增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力。

2.抑制振蕩與尖峰：柵極串聯(lián)電阻+并聯(lián)電容，吸收高頻噪聲。

3.布局與散熱：縮短源極引線，減小寄生電感。

總結(jié)

米勒平臺(tái)是功率器件開(kāi)關(guān)特性的核心現(xiàn)象，理解其原理與影響是高效設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。無(wú)論是規(guī)避損耗風(fēng)險(xiǎn)，還是創(chuàng)新應(yīng)用緩啟動(dòng)，掌握米勒效應(yīng)都能讓你在電源與電機(jī)控制中游刃有余。