什么是導(dǎo)通電阻？

RDS(ON)是MOSFET導(dǎo)通時漏極與源極之間的電阻值，是決定系統(tǒng)效率的“隱形心臟”。它看似微小，卻直接影響設(shè)備發(fā)熱、能耗甚至壽命。

導(dǎo)通電阻的組成部分

在MOSFET中，導(dǎo)通電阻RDS(ON)可以分為以下幾個部分：

N-plus區(qū)電阻（R_(N+)）：位于源區(qū)下方，用于提供低阻抗路徑。在高壓功率MOSFET中可以忽略不計。

溝道電阻（R_CH）：當(dāng)柵極電壓超過閾值電壓時形成的導(dǎo)電通道的電阻。

積累層電阻（R_A）：在溝道底部形成的一薄層高摻雜區(qū)域的電阻。

JFET區(qū)電阻（R_J）：N–Epi，P-bodies之間的區(qū)域稱為JFET區(qū)域，因為P-bodies區(qū)域的作用類似于JFET的柵極區(qū)域。該區(qū)域的阻力是RJ。

漂移區(qū)電阻（R_D）：從P體正下方到襯底頂部的電阻稱為RD為耐壓設(shè)計的一部分，特別是在高壓MOSFET中占比較大。

襯底電阻（R_S）：在高壓MOSFET中可以忽略不計。但是在擊穿電壓低于50V的低壓MOSFET中，它會對RDS(ON)產(chǎn)生很大影響。

正溫度系數(shù)

源/漏金屬與N+半導(dǎo)體區(qū)域之間的非理想接觸，以及用于將器件連接到封裝的引線，都可能產(chǎn)生額外的電阻。RDS(ON)具有正溫度系數(shù)，隨著溫度的升高而增加。這是因為空穴和電子的遷移率隨著溫度的升高而降低。P/N溝道功率MOSFET在給定溫度下的RDS(ON)，可通過公式估算。    

這是MOSFET并聯(lián)穩(wěn)定性重要特征。當(dāng)MOSFET并聯(lián)時RDS(ON)隨溫度升高，不需要任何外部電路的幫助即可獲得良好的電流分流。

正溫度系數(shù)的注意事項

盡管RDSON的正溫度系數(shù)使得并聯(lián)容易，在實際使用中還需要注意到以下問題：柵源閾值電壓VTH及CGD、CGS如有不同會影響到動態(tài)均流。應(yīng)盡可能使電路布局保持對稱。同時防止寄生振蕩，如在每個柵極上分別串聯(lián)電阻。RDSON的正溫度特性也說明了導(dǎo)通損耗會在高溫時變得更大。故在損耗計算時應(yīng)特別留意參數(shù)的選擇。