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中國大陸唯一一家,在半導體領域超過美國,技術全球第一的廠商

2023-01-03 來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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關鍵詞: 華為海思 半導體 NAND

眾所周知,中國大陸在半導體領域,鮮有技術很先進的企業(yè)。有幾家很牛的企業(yè)也就是達到了全球同等水平,比如華為海思在芯片設計水平上,中微半導體在刻蝕機上,與全球頂尖企業(yè)處于同一水平。

但要說某一家企業(yè)的技術,是全球最強的,領先于其它所有對手,好像還真不太說得上來。

不過,在2022年4季度,中國大陸就有了這么一家企業(yè),他的技術是全球最先進的,超過了所有對手,也是大陸唯一一家在半導體領域,超過美國,全球領先的廠商。

這家企業(yè)就是長江存儲,因為他是全球首家量產(chǎn)232層堆疊3D NAND閃存的廠商,像美光、SK海力士、三星、鎧俠等全球最牛的存儲芯片巨頭,都沒有量產(chǎn),只是PPT產(chǎn)品而已。

與邏輯芯片不一樣,邏輯芯片的工藝是進行微縮,比如5nm、3nm、2nm,誰的工藝最小,那么技術最先進。

閃存芯片的制造邏輯又不一樣,根據(jù)閃存廠家的測試,在做到15nm 工藝之后,再提升工藝,NAND 閃存的可靠性就會斷崖性下跌,所以一味縮小工藝肯定是不行的。

于是廠商們換了一種思路,既然平面微縮不行,那就是進行3D疊加,搞成立體結構,上下堆疊結構,這也就是3D NAND閃存的由來。

而232 層 NAND 閃存,就是指疊了 232 層的 NAND 閃存結構。

而在上、下堆疊的結構技術上,三星叫做V-NAND ,東芝和閃迪則是用 BiCS 。。。長江存儲鉆研出了自己的獨家 3D 堆疊技術,叫做Xtacking 。

長江存儲的Xtacking與其它廠商的技術,有一點區(qū)別,那就是讀寫單元和存儲單元是分開的,不在同一顆晶圓上,然后再利用線路把這兩部分連接起來。

這有什么好處?可以根據(jù)讀取、存儲特性的不同,用不同的工藝來制造,比如讀取的可以工藝更先進一步,讀取速度快,而存儲單元可以用成熟的一點的藝,來保證穩(wěn)定性,相互不影響。

于是業(yè)界評價稱,長江存儲(YMTC) 的 Xtacking 技術有望成為 2022 年最具顛覆性的技術之一,也因為這個技術,使得長江存儲這家成立僅7年的中國存儲企業(yè),迅速的成長為巨頭,超過了三星、美光等企業(yè),全球領先。

也正因為長江存儲的閃存太先進了,讓美國忌憚了,于是美國將長江存儲也拉入了實體清單( Entity list )。

這樣的情況,勢必會影響長江存儲的發(fā)展速度,比如無法對最新一代量產(chǎn)的232層3D NAND產(chǎn)品進行擴產(chǎn),進而導致錯過利用先進技術,搶占市場的時間窗口,從而讓美光等企業(yè)追上來。

不過,既然長江存儲能夠7年就成為全球技術最強的存儲芯片企業(yè),那么就算被打壓了,我們也相信長江存儲一樣會崛起,并且?guī)痈嗟钠髽I(yè)在半導體領域崛起,你覺得呢?



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