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- NAND閃存芯片，進(jìn)入第十代！
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- 3D NAND卷向1000層，低溫蝕刻技術(shù)或成重要推手
- 形勢嚴(yán)峻：被美國打壓，國產(chǎn)NAND芯片原地踏步，份額僅5%
- 消息稱三星明年推出第 10 代 NAND：三重堆疊技術(shù)，最高 430 層
