近期，DeepSeek模型以?xún)?yōu)越的性能和極低的成本驚艷登場(chǎng)，給全球科技行業(yè)帶來(lái)了全新的震撼，而這股強(qiáng)烈的震感也傳到了整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，對(duì)于有些芯片品類(lèi)來(lái)說(shuō)是沖擊，而對(duì)于NAND來(lái)說(shuō)，是大利好。

在AI手機(jī)領(lǐng)域，隨著DeepSeek技術(shù)的融入，手機(jī)的智能化水平得到了顯著提升。它能夠?qū)崿F(xiàn)更自然的語(yǔ)音交互、更精準(zhǔn)的圖像識(shí)別以及更高效的智能助手功能。而為了實(shí)現(xiàn)這些強(qiáng)大的AI功能，手機(jī)對(duì)NAND閃存的需求在容量和性能上都有了大幅提升。以蘋(píng)果為例，其最新款手機(jī)為了搭載更先進(jìn)的AI算法和更大的語(yǔ)言模型，NAND閃存的容量從以往的128GB起步提升到了256GB起步，以滿(mǎn)足大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和快速讀取需求。

在AIPC領(lǐng)域，DeepSeek的搭載使得AIPC能夠在本地實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的AI計(jì)算能力，無(wú)需完全依賴(lài)云端服務(wù)器，從而提高了響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)安全性。這一變革使得AIPC在處理復(fù)雜任務(wù)時(shí)更加高效，如進(jìn)行圖像和視頻編輯、數(shù)據(jù)分析以及運(yùn)行大型AI軟件等。為了支持這些高性能的AI應(yīng)用，AIPC對(duì)NAND閃存的性能要求也越來(lái)越高，需要具備更快的讀寫(xiě)速度和更高的穩(wěn)定性。例如，英特爾推出的新一代AIPC處理器，搭配了高性能的NAND閃存，以確保AI應(yīng)用的流暢運(yùn)行。同時(shí)，為了滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求，AIPC的NAND閃存容量也在不斷增大，從傳統(tǒng)的512GB向1TB甚至2TB邁進(jìn)。

AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）領(lǐng)域也因DeepSeek技術(shù)的發(fā)展而迎來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。在智能家居、智能安防、智能穿戴等設(shè)備中，DeepSeek的AI技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)更智能的環(huán)境感知、更精準(zhǔn)的行為分析以及更高效的設(shè)備控制。例如，智能攝像頭可以通過(guò)AI技術(shù)實(shí)時(shí)識(shí)別異常行為并及時(shí)報(bào)警，智能音箱可以理解用戶(hù)的自然語(yǔ)言指令并提供相應(yīng)的服務(wù)。這些AIoT設(shè)備數(shù)量的快速增長(zhǎng)以及功能的不斷豐富，使得對(duì)NAND閃存的需求呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長(zhǎng)。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到2025年底，全球AIoT設(shè)備對(duì)NAND閃存的需求量將達(dá)到數(shù)億GB，市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)數(shù)百億美元。

其他還有汽車(chē)智能化領(lǐng)域，隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的不斷發(fā)展，汽車(chē)對(duì)AI計(jì)算能力的需求越來(lái)越高，對(duì)NAND閃存的需求也在不斷增加。

專(zhuān)家表示，這些需求讓各大企業(yè)對(duì)NAND閃存的性能、容量和功耗等方面提出了全新的要求。在性能方面，端側(cè)AI應(yīng)用需要NAND閃存具備更高的讀寫(xiě)速度，以滿(mǎn)足AI算法對(duì)大量數(shù)據(jù)快速處理的需求，還需保證AI算法的實(shí)時(shí)性和準(zhǔn)確性；在容量方面，隨著端側(cè)AI應(yīng)用的不斷豐富和復(fù)雜，終端設(shè)備需要存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)，包括AI模型、訓(xùn)練數(shù)據(jù)以及用戶(hù)數(shù)據(jù)等；功耗方面，端側(cè)AI設(shè)備通常需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，并且對(duì)電池續(xù)航能力有較高要求。因此，NAND閃存的低功耗特性變得尤為重要。低功耗的NAND閃存可以減少設(shè)備的能耗，延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間，提高設(shè)備的使用便利性。這些需求都是第十代甚至第十一代NAND閃存需要主要著力的點(diǎn)。

因此，結(jié)合DeepSeek的影響和當(dāng)前行業(yè)動(dòng)態(tài)，NAND市場(chǎng)未來(lái)在供需、價(jià)格和技術(shù)發(fā)展等方面將呈現(xiàn)出一系列顯著趨勢(shì)。

供需方面，隨著DeepSeek推動(dòng)AI在各領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，NAND閃存的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè)，到2026年，全球AI相關(guān)應(yīng)用對(duì)NAND閃存的需求量有望達(dá)到數(shù)萬(wàn)億GB，年復(fù)合增長(zhǎng)率將超過(guò)20%。而在供給端，盡管NAND廠(chǎng)商在2025年采取了減產(chǎn)措施，但隨著技術(shù)的進(jìn)步和新產(chǎn)能的逐步釋放，未來(lái)市場(chǎng)供應(yīng)仍將保持一定的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。不過(guò)，由于AI相關(guān)需求的增長(zhǎng)速度較快，預(yù)計(jì)未來(lái)NAND市場(chǎng)將逐漸從供過(guò)于求轉(zhuǎn)向供需平衡，并有可能在某些高端產(chǎn)品領(lǐng)域出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面。

價(jià)格方面，受供需關(guān)系變化以及技術(shù)進(jìn)步的影響，NAND閃存價(jià)格有望在未來(lái)呈現(xiàn)出先穩(wěn)后升的趨勢(shì)。2025年初，由于NAND廠(chǎng)商的減產(chǎn)措施以及市場(chǎng)需求的逐步回暖，NAND閃存價(jià)格已經(jīng)開(kāi)始出現(xiàn)企穩(wěn)跡象。隨著AI相關(guān)需求的進(jìn)一步釋放，預(yù)計(jì)從2025年下半年開(kāi)始，NAND閃存價(jià)格將逐步回升。尤其是在高端NAND閃存產(chǎn)品領(lǐng)域，由于其技術(shù)門(mén)檻高、市場(chǎng)需求旺盛，價(jià)格上漲幅度可能更為明顯。而在中低端市場(chǎng)，由于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，價(jià)格上漲幅度可能相對(duì)較小，但隨著成本的上升和需求的改善，價(jià)格也將逐漸趨于穩(wěn)定并有所回升。

DeepSeek對(duì)NAND市場(chǎng)的影響，是當(dāng)下半導(dǎo)體行業(yè)變革的一個(gè)縮影，隨著AI技術(shù)的不斷演進(jìn)和應(yīng)用場(chǎng)景的持續(xù)拓展，第十代NAND閃存有望獲得廣闊的發(fā)展空間，企業(yè)需要不斷加大研發(fā)投入，提升技術(shù)創(chuàng)新能力，優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)，以適應(yīng)市場(chǎng)的快速變化。同時(shí)，企業(yè)之間的合作也將變得更加重要，通過(guò)協(xié)同創(chuàng)新，共同推動(dòng)NAND技術(shù)的發(fā)展，滿(mǎn)足AI等新興領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)的多樣化需求。