從手機(jī)快充看電源管理：合科泰MOS管如何實(shí)現(xiàn)高效快充？
隨著手機(jī)快充功率從18W躍升至200W甚至更高，充電器內(nèi)的MOS管已成為決定效率、溫升和可靠性的核心元件。合科泰通過(guò)一系列高性能MOS管，為快充電源提供關(guān)鍵支持，助力實(shí)現(xiàn)更高效、更安全、更小巧的充電體驗(yàn)。
廣東合科泰實(shí)業(yè)有限公司
省級(jí)“專精特新”
高新企業(yè)
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高壓與中低壓MOSFET技術(shù)解析：合科泰產(chǎn)品矩陣與場(chǎng)景適配指南
功率半導(dǎo)體器件一直以來(lái)都在朝著高頻化、低功耗的方向演進(jìn)，MOSFET 已經(jīng)形成了高壓與中低壓兩大技術(shù)的分支。錯(cuò)誤選型對(duì)電路拓?fù)涞南到y(tǒng)影響，很可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備發(fā)熱嚴(yán)重、待機(jī)功耗超標(biāo)，嚴(yán)重的話甚至?xí)s短產(chǎn)品的生命周期。合科泰的高壓和中低壓 MOS 管產(chǎn)品矩陣，能夠精準(zhǔn)覆蓋不同的場(chǎng)景，本文可以為工程師提供器件的完整決策框架。 -
如何為直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)板選型？合科泰MOSFET選型指南來(lái)了！
驅(qū)動(dòng)板為什么非MOSFET不可？這個(gè)問(wèn)題是因?yàn)橹绷鳠o(wú)刷電機(jī)的“心臟”是逆變器電路，而MOS管就是逆變器的開(kāi)關(guān)，可以負(fù)責(zé)電流通斷控制，實(shí)現(xiàn)電機(jī)轉(zhuǎn)速和精準(zhǔn)地方向調(diào)節(jié)。選對(duì)MOSFET，電機(jī)才能跑得穩(wěn)、效率高、壽命長(zhǎng)！建立30余年的合科泰結(jié)合自身的產(chǎn)品，和大家聊聊驅(qū)動(dòng)板的選型那些事~ -
2025充電寶新規(guī)落地：合科泰MOSFET如何賦能充電寶能效革命？
2025年8月實(shí)施了充電寶新國(guó)標(biāo)，其核心指標(biāo)包括額定輸出容量大于90%，這個(gè)變化提高了電源轉(zhuǎn)換效率要求，把原本的隱性需求轉(zhuǎn)變成了硬性要求。合科泰半導(dǎo)體基于自主研發(fā)的SGT工藝平臺(tái)，推出了HKTQ65N03、HKTG50N03等明星產(chǎn)品，通過(guò)技術(shù)突破實(shí)現(xiàn)能效提升，助力客戶輕松應(yīng)對(duì)新規(guī)挑戰(zhàn)。 -
中低壓MOSFET在數(shù)據(jù)中心DC-DC次級(jí)應(yīng)用詳細(xì)解析方案
隨著數(shù)據(jù)中心算力需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，高效電源架構(gòu)已成為提升整機(jī)柜能效的關(guān)鍵。傳統(tǒng)12V電源架構(gòu)在面對(duì)kW級(jí)服務(wù)器功耗時(shí)，大電流傳輸導(dǎo)致的線路損耗和散熱壓力日益凸顯。48V系統(tǒng)通過(guò)"以壓減流"策略，在同等功率下將電流降至12V方案的25%，基于功耗關(guān)系，線路損耗可降低約94%，為高密度算力場(chǎng)景提供低損耗、長(zhǎng)距離的供電解決方案。 -
解決VBUS開(kāi)關(guān)難題，P溝道MOSFET來(lái)助力
在電子工程領(lǐng)域，VBUS開(kāi)關(guān)的性能對(duì)于電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。很多中層管理者在實(shí)際工作中，常常會(huì)遇到VBUS開(kāi)關(guān)方面的各種問(wèn)題，今天就來(lái)和大家深入探討這些問(wèn)題，并介紹一款能有效解決問(wèn)題的產(chǎn)品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。 -
合科泰MOS管：從掃地機(jī)器人到AI眼鏡的開(kāi)源硬件動(dòng)力核心
全球智能家居清潔機(jī)器人市場(chǎng)正以33%的同比增速爆發(fā)式增長(zhǎng)，而谷歌等科技巨頭加速AI眼鏡研發(fā)的消息，更凸顯開(kāi)源硬件創(chuàng)新的黃金時(shí)代已然到來(lái)。然而創(chuàng)客們卻面臨“進(jìn)口器件交期長(zhǎng)（3-6個(gè)月）、高頻損耗高、散熱設(shè)計(jì)復(fù)雜”的三重困境。成立于1992年的合科泰電子，以中低壓/車規(guī)級(jí)MOS管的低導(dǎo)通電阻、小封裝尺寸、高散熱效率三大優(yōu)勢(shì)，正成為這場(chǎng)“動(dòng)力革命”的關(guān)鍵推動(dòng)者。 -
合科泰MOS管HKTD120N04，工業(yè)變頻器的理想之選
工業(yè)變頻器核心元件的國(guó)產(chǎn)化替代已成為制造業(yè)降本增效的關(guān)鍵。進(jìn)口MOS管普遍面臨三大痛點(diǎn)：交期長(zhǎng)達(dá)3-6個(gè)月導(dǎo)致生產(chǎn)停滯、高頻開(kāi)關(guān)損耗降低設(shè)備效率、復(fù)雜散熱設(shè)計(jì)推高成本。合科泰HKTD120N04作為國(guó)產(chǎn)替代方案，以低導(dǎo)通電阻、快速交付與工業(yè)級(jí)可靠性，為變頻器廠商提供理想選擇。 -
MOS管工藝選型指南：平面/溝槽/屏蔽柵/超結(jié)技術(shù)
MOS管工藝選型的本質(zhì)是場(chǎng)景與特性的精準(zhǔn)匹配：平面工藝以“抗沖擊+低成本”守護(hù)小家電電源；溝槽工藝用“深槽刻蝕”破解中低壓高頻損耗難題；屏蔽柵工藝靠“米勒電容降低10倍”實(shí)現(xiàn)超高頻同步整流；超結(jié)工藝通過(guò)電荷補(bǔ)償突破高壓場(chǎng)景硅極限。MOS管的正確選型可使BOM成本降低20-30%、效率提升4-6%。 -
國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)：合科泰電子元器件封測(cè)代工的可靠之選
當(dāng)手機(jī)在電梯里信號(hào)驟降？智能手機(jī)突然信號(hào)中斷？汽車儀表盤突然報(bào)警？暴雨中自動(dòng)駕駛汽車的傳感器失靈？這些問(wèn)題的背后與電子元器件的封裝缺陷息息相關(guān)，問(wèn)題或許并非出在芯片本身，而是封裝工藝的細(xì)微瑕疵。 作為國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，合科泰在封測(cè)領(lǐng)域深耕多年，以多項(xiàng)國(guó)家發(fā)明專利筑起技術(shù)壁壘。封測(cè)工藝既要隔絕潮濕、高溫等外部侵蝕，又要確保信號(hào)傳輸暢通，這個(gè)的可靠性直接關(guān)系到終端產(chǎn)品的使用壽命與安全性能。 -
合科泰SI2301 MOSFET：精簡(jiǎn)版選型指南
合科泰SI2301是一款采用SOT-23封裝的P-CHANNEL MOSFET，專為DC-DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)。2.8-3.0mm×1.2-1.4mm的超小尺寸適合高密度PCB布局，通過(guò)超低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性設(shè)計(jì)，為電子設(shè)備提供高效能功率控制解決方案。 該器件平衡性能與成本需求，可直接替代同類150mΩ產(chǎn)品，在保持相同可靠性的同時(shí)降低40%導(dǎo)通損耗，特別適合對(duì)空間和能效雙重敏感2025-08-28 閱讀：485 關(guān)鍵詞： 高效能功率控制解決方案 合科泰 SI2301 P - CHANNEL MOSFET DC - DC 轉(zhuǎn)換器 負(fù)載開(kāi)關(guān) 超低導(dǎo)通電阻 -
國(guó)產(chǎn)MOS管HKTD120N04，打破工業(yè)應(yīng)用困局！
對(duì)于工業(yè)變頻器廠家、充電樁企業(yè)、電動(dòng)兩三輪車制造商等企業(yè)來(lái)說(shuō)，他們?cè)谶x擇電子元器件時(shí)面臨著不少困擾。進(jìn)口品牌雖然性能不錯(cuò)，但交期長(zhǎng)，常常影響生產(chǎn)進(jìn)度；高頻應(yīng)用時(shí)開(kāi)關(guān)損耗高，導(dǎo)致設(shè)備效率低下；散熱設(shè)計(jì)復(fù)雜，增加了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)成本。2025-08-27 閱讀：213