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SAMSUNG/三星KLUEG8UHDB-C2E1 儲存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，適合移動設備和汽車。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口
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SAMSUNG/三星KLUFG8RHDA-B2E1 儲存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，適合移動設備和汽車。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口
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專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4E6E304EC-EGCG 容量16GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝
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專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4E8E324EB-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝
專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4EBE304EC-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝
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專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4EBE304ED-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4F2E3S4HA-THCL 數(shù)據(jù)傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4F2E3S4HA-TFCL 數(shù)據(jù)傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝
