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英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,樹(shù)立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

2022-03-15 來(lái)源:華強(qiáng)電子網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 英飛凌 MOSFET 晶圓

3月14日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹(shù)立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這些新器件采用薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝,尺寸極小,卻具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列已針對(duì)服務(wù)器、通訊、便攜式充電器和無(wú)線充電等SMPS應(yīng)用中的同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。這些功率MOSFET還可在無(wú)人機(jī)中,應(yīng)用于小型無(wú)刷電機(jī)的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知,無(wú)人機(jī)通常需要尺寸小、重量輕的元器件。




這些領(lǐng)先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封裝,具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業(yè)界極低的導(dǎo)通電阻,能夠進(jìn)一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封裝,為PCB布局布線提供了更高的靈活性。此外,該解決方案還具有出色的電氣性能,可進(jìn)一步提高終端應(yīng)用的功率密度,縮小外形尺寸。同時(shí),系統(tǒng)溫度的降低、性能的提升,也讓熱管理變得更加輕松。這些特性有助于實(shí)現(xiàn)更小巧的客戶應(yīng)用,充分節(jié)省空間、降低系統(tǒng)成本,打造易于設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。


供貨情況


采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列現(xiàn)已上市:


· PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 m? (ISK024NE2LM5)


· PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 m? (ISK036N03LM5)



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