3月10日，集邦咨詢發(fā)布報(bào)告稱，目前最具發(fā)展?jié)摿Φ牟牧鲜蔷邆涓吖β始案哳l率特性的寬帶隙（Wide Band Gap，WBG）半導(dǎo)體，包含碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），主要應(yīng)用多為電動(dòng)汽車、快充市場(chǎng)。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究推估，第三類功率半導(dǎo)體產(chǎn)值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長(zhǎng)至47.1億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)48%。

相較傳統(tǒng)Si base，第三類功率半導(dǎo)體襯底制造難度較高且成本較為昂貴，目前在各大襯底供應(yīng)商的開發(fā)下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等業(yè)者陸續(xù)擴(kuò)增產(chǎn)能，并將在2022下半年量產(chǎn)8吋襯底，預(yù)期第三類功率半導(dǎo)體未來(lái)幾年產(chǎn)值仍有成長(zhǎng)的空間。