最新爆料:長(zhǎng)鑫今年投產(chǎn) 17nm 工藝的 DDR5 內(nèi)存芯片
關(guān)鍵詞: 長(zhǎng)鑫 DDR5 內(nèi)存芯片
為了避免未來(lái)被國(guó)外“掐脖子”,國(guó)內(nèi)內(nèi)存芯片廠商也一直在突破自身瓶頸,推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的綜合升級(jí)。最新消息爆料,合肥長(zhǎng)鑫今年要投產(chǎn) 17nm 工藝的 DDR5 內(nèi)存芯片。
根據(jù)相關(guān)資料消息顯示,合肥長(zhǎng)鑫已經(jīng)通過(guò) 2020 年、2021 年兩年的努力,分別實(shí)現(xiàn)了 4.5 萬(wàn)片晶圓 / 月、6 萬(wàn)片晶圓 / 月的目標(biāo),2022 年的產(chǎn)能目標(biāo)是 12 萬(wàn)片晶圓 / 月,直接對(duì)比去年實(shí)現(xiàn)翻番。
對(duì)于未來(lái)產(chǎn)能目標(biāo)長(zhǎng)鑫是 30 萬(wàn)片晶圓 / 月。產(chǎn)能擴(kuò)增是長(zhǎng)鑫努力的一個(gè)方面,它在內(nèi)存技術(shù)方面的水平也是奮起直追。當(dāng)下長(zhǎng)鑫量產(chǎn)的主要是第一代 10nm 級(jí)別工藝 10G1,實(shí)際水平應(yīng)該是 19nm,主要以 DDR4、LPDDR4 為主。
2020 有報(bào)道稱未來(lái)將研發(fā) 17nm 及以下工藝的 DDR5、LPDDR5 等內(nèi)存,這也是 10G3 代工藝,未來(lái)還有 10G5 工藝,除了 DDR5、LPDDR5 之外還有 GDDR6 顯存。
據(jù)悉,主攻內(nèi)存芯片的合肥長(zhǎng)鑫母公司睿力集成發(fā)生工商變更, 阿里巴巴 (中國(guó)) 網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司、中國(guó)東方資產(chǎn)管理股份有限公司等 19 位股東為新增股東。
自本次變更完成后, 睿力集成的注冊(cè)資本增加至 485.8 億元人民幣。有了更多資金之后,相信像合肥長(zhǎng)鑫等國(guó)產(chǎn)內(nèi)存廠商在 2022 年會(huì)繼續(xù)多方面提速,加速產(chǎn)能和技術(shù)的多方升級(jí)。
