12月29日，據(jù)報(bào)道，聯(lián)電已通過投資聯(lián)穎，切入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。聯(lián)電計(jì)劃從6寸氮化鎵（GaN）產(chǎn)品入手，之后將展開布局碳化硅（SiC），并向8寸晶圓發(fā)展。公司透露，第三代半導(dǎo)體制程將從CMOS轉(zhuǎn)換而來，未來將伺機(jī)擴(kuò)產(chǎn)。

聯(lián)電表示，由于目前業(yè)內(nèi)較少廠商能夠提供GaN整體解決方案，正在構(gòu)建技術(shù)平臺(tái)，由聯(lián)電、聯(lián)穎共同研發(fā)，聚焦電子、射頻微波等應(yīng)用，預(yù)計(jì)明年將導(dǎo)入IC設(shè)計(jì)客戶。

另外，聯(lián)電更與比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）攜手，開展第三代半導(dǎo)體研發(fā)。后者是全球知名獨(dú)立公共研發(fā)平臺(tái)、半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)指標(biāo)性研發(fā)機(jī)構(gòu)，英特爾、三星、臺(tái)積電、高通等均與其有合作。

值得一提的是，聯(lián)穎有望成為聯(lián)電第三代半導(dǎo)體的主要生產(chǎn)陣地。聯(lián)穎此前主營業(yè)務(wù)便是6寸晶圓，但長時(shí)間處于虧損狀態(tài)，產(chǎn)能利用率也處于較低水平。但去年下半年以來，業(yè)績好轉(zhuǎn)，產(chǎn)能持續(xù)滿載，明年產(chǎn)能有望較今年翻倍增長。

能源技術(shù)革命向材料領(lǐng)域滲透 第三代半導(dǎo)體打開增長空間

除聯(lián)電之外，產(chǎn)業(yè)鏈其余廠商也沒有錯(cuò)過第三代半導(dǎo)體這一契機(jī)。

龍頭臺(tái)積電在GaN投入多年，目前已小批量提供6寸晶圓代工服務(wù)。同時(shí)，公司針對車用領(lǐng)域，與意法半導(dǎo)體合作開發(fā)GaN制程，而Navitas（GaN消費(fèi)市場龍頭）、GaN Systems等廠商也已在臺(tái)積電投片，生產(chǎn)高壓功率半導(dǎo)體器件。

世界先進(jìn)已展開8寸GaN on Si研發(fā)，已有超過10家客戶進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)，臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)指出，該技術(shù)可靠性與良率已接近量產(chǎn)階段。

就在上周，硅晶圓廠商環(huán)球晶宣布，明年將大幅擴(kuò)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體，GaN及SiC產(chǎn)能均將翻倍增長。

各路廠商爭相布局的背后，是新能源汽車、5G等新興產(chǎn)業(yè)崛起和“雙碳”目標(biāo)帶來的廣闊增量空間。

SiC方面，其背后主要驅(qū)動(dòng)力與新能源汽車緊密相連。據(jù)三安光電副總經(jīng)理陳東坡預(yù)計(jì)，在2023-2024年，長續(xù)航里程的車型基本上80-90%、甚至100%都將導(dǎo)入SiC器件。同時(shí)，高壓快充平臺(tái)則是另一個(gè)需求增長點(diǎn)，目前車企打造800V高壓平臺(tái)都是從IGBT入手，以SiC器件取代硅基IGBT。

GaN則主要用于5G射頻器件、功率器件等，市場空間同樣備受青睞。

總體來說，目前第三代半導(dǎo)體仍處于發(fā)展初期，分析師認(rèn)為國內(nèi)企業(yè)與國際巨頭差距相對較小，對后來者也較為有利。