近日，臺積電董事長劉德音在出席活動時(shí)表示，美光的存儲技術(shù)已經(jīng)超越三星，引來臺積電與美光加深合作的猜測。

據(jù)公開資料顯示，在 NAND Flash 領(lǐng)域，美光確有后來居上的態(tài)勢，美光的 176 層堆疊 3D NAND Flash 開始大量生產(chǎn)，但三星目前仍停留在 128 層。

在 DRAM 技術(shù)方面，美光原落后三星，但如今追趕速度加快。今年第一季已領(lǐng)先三星、SK 海力士導(dǎo)入 1α 制程量產(chǎn)，更預(yù)計(jì)搶先在 2022 年推進(jìn)到 1β 制程。臺媒表示，美光與三星的存儲龍頭之爭，未來幾年將很有看頭。

在代工方面，三星一直是臺積電的最大競爭對手，但在存儲方面，三星擁有優(yōu)勢，以至于一些業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，如果三星能夠在代工過程中充分整合存儲優(yōu)勢，將會在與臺積電的對抗中保持競爭力。

專家表示，截至最新，美光半導(dǎo)體及其關(guān)聯(lián)公司在126個(gè)國家／地區(qū)中，共有5萬余件專利申請。而根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，美光半導(dǎo)體以及關(guān)聯(lián)公司的專利中有17，818件專利是與 “專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備”有關(guān)，有9，266件專利是與 “由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件”有關(guān)。

此外，根據(jù)目標(biāo)市場國的數(shù)據(jù)可知，美光半導(dǎo)體專利主要分布于以下國家／地區(qū)，它們分別是美國、韓國、德國、新加坡、日本等國家。