3月份Intel新任CEO帕特·基辛格宣布了全新的IDM 2．0戰(zhàn)略,其中主要內(nèi)容就是投資200億美元在美國建設(shè)2座新的晶圓廠。9月24日,基辛格駕駛挖掘機(jī)正式給新項(xiàng)目奠基,2024年這些工廠要首發(fā)量產(chǎn)20A埃米工藝。

美國亞利桑那州是Intel晶圓生產(chǎn)的重鎮(zhèn),算上這次的投資,Intel公司40多年來已經(jīng)在該地區(qū)投資了500億美元,CEO基辛格表示這次的投資代表著Intel致力于在該領(lǐng)域長期投資,幫助美國半導(dǎo)體重回領(lǐng)先地位。

該投資計(jì)劃預(yù)計(jì)將創(chuàng)造3000多個(gè)高技術(shù)、高薪酬的長期工作崗位,以及3000多個(gè)建筑就業(yè)崗位和大約15000個(gè)當(dāng)?shù)亻L期工作崗位。

Intel公布了這里兩座晶圓廠的細(xì)節(jié),分別會(huì)命名為Fab 52、Fab 62,并首次透露這些工廠將會(huì)在2024年量產(chǎn)20A工藝——這與之前預(yù)期的不同,原本以為會(huì)量產(chǎn)的是Intel 4這樣的下兩代工藝。

Intel 20A工藝是今年7月份才公布的,是Intel 10/7/4/3工藝之后的升級(jí)版,而且首次進(jìn)入后納米時(shí)代,直接用了埃米(A代表的是?ngstrom,1納米等于10埃米),技術(shù)細(xì)節(jié)美公布,但字面意義上看20A差不多就是2nm工藝的級(jí)別,符合3nm之后的摩爾定律升級(jí)規(guī)則。

20A工藝除了EUV光刻工藝之外,還會(huì)有2大黑科技——R ibbonFET及PowerVia。

根據(jù)Intel所說,RibbonFET是Intel對(duì)Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn),它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度,同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流,但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò),通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號(hào)傳輸。

按照規(guī)劃,20A工藝預(yù)計(jì)會(huì)在2024年量產(chǎn),屆時(shí)臺(tái)積電的2nm工藝應(yīng)該也會(huì)問世,Intel的工藝再次回到最先進(jìn)水平。