今年8月，韓國三星電子公布3年內投資240萬億韓元用于發(fā)展半導體事業(yè)的宏偉計劃，展示其欲爭世界第一的勃勃雄心。

三星電子常年在全球存儲半導體領域穩(wěn)居首位，而韓國另一巨頭SK海力士緊隨其后、位列全球第二。不過，存儲半導體僅占整體半導體銷售額的30%左右，余下七成主要是系統(tǒng)半導體，且存儲半導體受國際價格行情波動影響較大。

在非存儲半導體的設計和制造領域，包括三星電子在內的韓國企業(yè)仍面臨來自中國臺積電、美國英特爾等龍頭企業(yè)的挑戰(zhàn)。例如在半導體晶體圓形片代工生產上，2021年度三星的市場占有率僅為17.3%，與穩(wěn)坐第一寶座的臺積電（52.9%）相比存在較大差距。而在系統(tǒng)半導體的研發(fā)投入方面，三星在全球版圖也不占據(jù)優(yōu)勢。

為應對這一局面，韓國電子業(yè)巨擘三星開始發(fā)力。因涉“親信干政”案而入獄的三星電子副會長李在镕在獲得假釋重返管理一線后，立即發(fā)布著眼于系統(tǒng)半導體、生物科技、下一代通訊設備的“三年經(jīng)濟盤活”計劃，并將主要目標瞄準了整合和重振韓國半導體產業(yè)。

根據(jù)計劃，三星電子將把240萬億韓元中的180萬億韓元用于國內投資，其中150萬億韓元將用于鞏固發(fā)展半導體產業(yè)，同時將新增雇傭4萬員工。輿論認為，三星豪擲一半以上投資額用于半導體，并側重新技術開發(fā)和廣納賢才，無疑顯露出其意欲在全球半導體競爭中保持領先的堅定決心。

在半導體產業(yè)上，三星計劃進一步鞏固其在全球存儲半導體上的優(yōu)勢，如早日推出14納米DRAM和第7代V NAND閃存，并通過擴大投資將焦點放在中長期需求變化上，為加強系統(tǒng)半導體的競爭力奠定基礎。與此同時，三星正醞釀在美國新建第二座芯片代工廠，并考慮加速推進在車載半導體、5G、人工智能等領域的大規(guī)模收購合并。

在新技術開發(fā)方面，三星則致力于研發(fā)新一代GAA（Gate-all-around）工藝，比現(xiàn)有技術減少芯片面積和電力損耗、進一步提高性能。

分析人士認為，在全球芯片代工需求激增、價格面臨上漲的利好消息下，三星宣布強勢投資半導體芯片，體現(xiàn)出三星意圖加快構建系統(tǒng)半導體生態(tài)的目標。作為穩(wěn)坐存儲芯片制造商頭把交椅的三星電子，是否能在系統(tǒng)半導體領域迎頭趕上備受關注。