SEMICON 中國臺灣地區(qū)在線論壇臺積電研發(fā)資深處長段孝勤在會上發(fā)言，他指出臺積電在化合物半導體領域專注在氮化鎵（GaN）相關開發(fā)，歷經長期的發(fā)展氮化鎵已逐漸開始被市場接受，預期未來十年將有更多應用場景。

他指出，臺積電在氮化鎵的五個主要應用場景包含快充、數據中心、太陽能電力轉換器、48V DC/DC 以及電動車 OBC/轉換器，對于相關應用藍圖并有對應制程設計。

段孝勤提到，臺積電過去二十年在功率提升上投入，人們希望使用裝置的耗能越少越好，臺積也已在 BCD 電源管理技術上投入，功率組件自然也是重要關鍵，目前行動裝置所需 BCD 制程已到 0.13 第三代，并正在開發(fā) 90/55/40/22 BCD，車用部分已有 0.18 第二代 BCD 與 0.13 BCD 并正開發(fā)最高 SOI 可達 100 V 的 55 BCD 制程。NVM 在電源管理應用上，已推出 MRAM 對應 28/22 納米制程等。

段孝勤也展示臺積電應對 MOSFET 的動態(tài)與靜態(tài)制程特性，協助客戶開發(fā)在功耗瓦數上降低與讓產品最終成功。有別于碳化硅（SiC）應用材料特性，臺積電更關注在氮化鎵（GaN）的商機。

就新材料開發(fā)上，他提到，硅基氮化鎵的挑戰(zhàn)主要是表面的不平整程度考驗。臺積電已開發(fā) GaN-on-Silicon 技術應對功率與射頻組件需求。