根據(jù) Digitimes 報(bào)道，半導(dǎo)體廠商英飛凌大中華區(qū)電源與感測(cè)系統(tǒng)事業(yè)部協(xié)理陳志星日前表示，該公司的 SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等新材料產(chǎn)品已經(jīng)走入量產(chǎn)，未來(lái)這類功率芯片的制造從主流的 6 英寸廠轉(zhuǎn)移到 8 英寸晶圓廠生產(chǎn)，是國(guó)際大廠共同看好的趨勢(shì)。

陳志星指出，SiC、GaN 相關(guān)寬能隙 (WBG) 功率元件價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)很大的降幅，但成本仍是打開(kāi)市場(chǎng)的關(guān)鍵。碳化硅、氮化鎵兩類芯片的價(jià)格差距不大，但是這這兩種產(chǎn)品與單純的 Si 硅產(chǎn)品之間成本差距確實(shí)存在，目前成本還比較高昂。

英飛凌預(yù)測(cè)，未來(lái)在生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)能投資、良率控制等方面的共同推進(jìn)下，SiC、GaN 功率元件的成本有望有效下降，預(yù)計(jì) 3~5 年后有機(jī)會(huì)把成本降到跟硅基元件相仿的程度，后段制程技術(shù)也持續(xù)推進(jìn)。

英飛凌此前率先使用 12 英寸晶圓工廠生產(chǎn)硅基功率元件，近年來(lái) GaN 氮化鎵芯片隨著手機(jī)、電腦充電器的發(fā)展，得到越來(lái)越廣的應(yīng)用，相關(guān)制造技術(shù)也在快速推進(jìn)中。由于 SiC 碳化硅功率元件已經(jīng)問(wèn)世 20 多年，英飛凌表示，這類芯片以往使用 2、4 英寸晶圓工廠生產(chǎn)，現(xiàn)在則轉(zhuǎn)向主流的 6 英寸，未來(lái)走向使用 8 英寸廠生產(chǎn)是非常正常的。