對于英特爾來說，當(dāng)下在半導(dǎo)體工藝局面中逐漸陷入被動。不過近日，英特爾的2nm工藝Fab20獲批，將實(shí)現(xiàn)工藝突破。

據(jù)悉，英特爾Fab20工藝的工廠共分為4期，其中前兩期將在2023年下半年完工，并實(shí)現(xiàn)作業(yè)，將于2024年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。預(yù)計(jì)在2025年至2026年實(shí)現(xiàn)4期工廠竣工，月總量產(chǎn)將超過10萬片。

此外，臺積電也將在未來幾年推出2nm工藝，不過當(dāng)前并沒有具體的規(guī)格曝光。不過目前可以得知，臺積電的2nm技術(shù)也將采用GAA晶體管，并且臺積電還開發(fā)了nanosheet納米片技術(shù)，能夠更好的控制閾值電壓，使其波動降低15%，進(jìn)一步增加芯片的性能。同時(shí)，三星也將在2024年量產(chǎn)3nm工藝，也將使用GAA晶體管工藝，大幅度提升芯片性能。