2020年,臺(tái)積電、三星的芯片工藝制程進(jìn)入了5nm,今年臺(tái)積電、三星的工藝將進(jìn)入4nm,明年將進(jìn)入3nm。

而作為另外一家芯片制造大廠英特爾,確實(shí)在芯片制程上落后了,現(xiàn)在還在打磨10nm,連7nm都還沒推出來,預(yù)計(jì)要到明年去了。

為此,唯工藝節(jié)點(diǎn)論英雄的網(wǎng)友,一直在吐槽英特爾。不過近日專業(yè)機(jī)構(gòu)Digitimes日前發(fā)表的一份研究報(bào)告,可能會(huì)讓這些不斷吐槽英特爾的網(wǎng)友,有點(diǎn)小尷尬。

因?yàn)榇蠹野l(fā)現(xiàn),雖然工藝節(jié)點(diǎn)英特爾落后了,但在真正的工藝上,intel其實(shí)并沒有落后什么,因?yàn)?

英特爾的10nm工藝,相當(dāng)于臺(tái)積電的7nm工藝,接近三星的5nm工藝。

英特爾的7nm工藝,甚至比三星的3nm還要強(qiáng),比肩臺(tái)積電的5nm工藝。

英特爾的5nm工藝,比臺(tái)積電的3nm還要強(qiáng),甚至比肩IBM之前公布的2nm工藝。

那么這個(gè)是怎么算出來的,Digitimes是采用業(yè)界比較公認(rèn)的一項(xiàng)參數(shù),也就是晶體管密度算出來的,即每平方毫米的芯片中,晶體管的個(gè)數(shù)是多少。

我們知道在嚴(yán)謹(jǐn)?shù)男酒に囍?所謂的芯片工藝提升,是以縮小溝道長度為目標(biāo)的,芯片工藝其實(shí)指源極與漏極間的距離,在10nm前,各芯片廠商都是嚴(yán)格遵守的。

但后來到了10nm后,工藝提升越來越難,芯片制造廠商們就不再遵守這個(gè)規(guī)則了,開始玩起了游戲。

在2019年的時(shí)候,臺(tái)積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森就明確表示過過“現(xiàn)在描述工藝水平的XXnm說法已經(jīng)不科學(xué)了,因?yàn)樗c晶體管柵極已經(jīng)不是絕對相關(guān)了。制程節(jié)點(diǎn)已經(jīng)變成了一種營銷游戲,與科技本身的特性沒什么關(guān)系了?！?/p>

也就是從那時(shí)候起,臺(tái)積電、三星開始玩起了數(shù)字游戲,芯片工藝不斷提升,但實(shí)際晶體管密度,并沒有提升多少,只有英特爾,則還基本在遵守這個(gè)規(guī)則。

所以也就有了從晶體管密度來看,雖然英特爾工藝落后,但這項(xiàng)參數(shù)卻并沒有落后的原因。

所以以后大家關(guān)于芯片工藝節(jié)點(diǎn),其實(shí)也不用太認(rèn)真的,不同公司的工藝節(jié)點(diǎn)定義和標(biāo)準(zhǔn)是不一樣的,用XXnm來看誰的技術(shù)強(qiáng),誰的技術(shù)弱,其實(shí)并不太科學(xué)啦。

而從這個(gè)晶體管密度參數(shù)來看,英特爾現(xiàn)在的技術(shù)其實(shí)與三星差不太多,畢竟明年英特爾7nm量產(chǎn),相當(dāng)于三星的3nm,但還是落后于臺(tái)積電的。