7月14日消息, 2021年國(guó)產(chǎn)IP與定制芯片生產(chǎn)大會(huì)上,三星電子公開(kāi)了其3nm制程工藝的規(guī)劃,其將延后至2023年投產(chǎn)。此前,三星曾表示3nm制程工藝將會(huì)在2022年投產(chǎn)。

據(jù)三星解釋,其在2022年投產(chǎn)的是3nm工藝為3GAE,即3nm gate-all-around early,是早期的試錯(cuò)版本,而三星在2023年推出的是3GAP,即3nm gate-all-around plus,這是3GAE的進(jìn)階版本,該版本將會(huì)更完善,更能提供成熟的代工產(chǎn)品。

三星的制程工藝相對(duì)先進(jìn),但其制造出的產(chǎn)品的質(zhì)量,往往不如人意。其自家的Exynos SoC,就經(jīng)常出現(xiàn)功耗過(guò)大的情況,為高通代工的驍龍888 SoC,功耗表現(xiàn)也不及預(yù)期,這導(dǎo)致諸多采用該SoC的手機(jī)產(chǎn)品,在功耗表現(xiàn)上遭受了消費(fèi)者的詬病。

另外,三星生產(chǎn)出的芯片的晶體管密度也較低。10nm及更先進(jìn)的制程工藝,全球只有英特爾、三星和臺(tái)積電進(jìn)行了量產(chǎn)。Digitimes專(zhuān)門(mén)做了一張圖來(lái)對(duì)比三家的技術(shù)演進(jìn)。

單從晶體管密度這一指標(biāo)來(lái)說(shuō),英特爾的7nm工藝,臺(tái)積電的5nm工藝,三星的3nm工藝幾乎在一個(gè)水準(zhǔn)上。三星的制程工藝雖然和臺(tái)積電差不多,但晶體管數(shù)量上差距很大。

在晶圓代工業(yè)務(wù)上,三星是靠便宜的的代工價(jià)格搶臺(tái)積電的訂單,但以后,三星還要面對(duì)英特爾的競(jìng)爭(zhēng)。英特爾今年發(fā)布了IDM 2．0戰(zhàn)略,宣布將更多為其他企業(yè)進(jìn)行代工,其會(huì)在7月26號(hào)舉行Intel Accelerated直播活動(dòng),將會(huì)公布英特爾制程技術(shù)與封裝產(chǎn)品組合發(fā)展路線(xiàn)圖等,其入局晶圓代工之后,或會(huì)造就一個(gè)新的代工格局。

在這三家之中,臺(tái)積電的代工工藝最為先進(jìn)成熟,蘋(píng)果等對(duì)自家產(chǎn)品有高要求的企業(yè),代工都是交給臺(tái)積電,其代工工期也早已排滿(mǎn),股價(jià)更是上了天,排在美股第7,比阿里巴巴還高。英特爾和三星將在第二梯隊(duì)展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng),三星3nm工藝?yán)^續(xù)延期的話(huà),部分訂單或會(huì)被英特爾7nm工藝搶走。