供應(yīng)鏈媒體 Digitimes 今日整理了三大晶圓廠以及 IBM 在 10nm、7nm、5nm、3nm、2nm 的技術(shù)指標（晶體管密度）演進對比圖。

科普：晶體管密度即芯片上每平方單位晶體管數(shù)，此處對比的是每平方毫米晶體管數(shù)量。

Digitimes 指出，英特爾此前聲稱臺積電的 7nm 制程與其 10nm 制程相當，從技術(shù)角度而言這可能是真的，雖然英特爾還沒有真正超過臺積電，不過三星的工藝是真的水。

三星曾多次宣布他們帶領(lǐng)臺積電推出了更先進的工藝技術(shù)，但最終未能爭取到關(guān)鍵客戶。

對于代工行業(yè)來說，比競爭對手先一步推出更先進的工藝節(jié)點并不一定意味著商業(yè)上的成功。尤其是良率、廠商與供應(yīng)商的合作關(guān)系以及與客戶的共同技術(shù)開發(fā)的作用在其中也發(fā)揮著相當重要的作用。

在 10nm 節(jié)點上，臺積電實現(xiàn)了每平方毫米 5300 萬晶體管密度，而三星的晶體管密度為 5200 萬個，但英特爾的 10nm 節(jié)點可達 1.06 億的晶體管密度，這甚至比臺積電和三星的 7nm 的 9700 萬和 9500 萬還要高。

眾所周知，哪怕英特爾技術(shù)指標不虛臺積電，他最終也沒有贏得客戶的青睞，甚至在臺積電和三星實現(xiàn) 5nm 之時才真正量產(chǎn)出 10nm 的處理器。

當然，對比工藝水準只看晶體管密度肯定是片面的。而且目前英特爾的主要問題是量產(chǎn)困難、客戶信任以及實際收益率，畢竟三星報價遠低于業(yè)界水準，性價比更高。

英特爾的 7nm 技術(shù)（預(yù)計 2022 年底或 2023 年初）目標是實現(xiàn)每平方毫米接近 1.8 億個晶體管的高標準，但這只是一個基準，目前看來并不具有商業(yè)可行性。

而臺積電似乎在技術(shù)上領(lǐng)先三星越來越遠，其 5nm 工藝實現(xiàn)了 1.73 億個晶體管的密度，這與英特爾 7nm 的 1.7 億目標相當，且超過了三星 3nm 的 1.7 億的密度自夸。

3nm 太遙遠，此處不再提及，Digitimes 繪制了如下對比圖，各位小伙伴可權(quán)作參考：

值得一提的是，臺積電也是第一家將 EUV 設(shè)備大量裝機生產(chǎn)的企業(yè)。據(jù)稱，在全球生產(chǎn)的 EUV 設(shè)備中，有一半以上被臺積電拿下，而臺積電也正藉此生產(chǎn)著全球 70% 以上的芯片，使其牢牢占據(jù)著 55% 的代工市場份額，并吃下了超過 80% 的全球代工收入。