• 下一代半導(dǎo)體制造核心設(shè)備EXE:5200B成功引入韓國利川M16廠，慶祝儀式于9月3日舉行

• 相較于現(xiàn)有EUV設(shè)備，其精密度和集成度可分別提升1.7倍和2.9倍，確保下一代半導(dǎo)體存儲器的量產(chǎn)競爭力

• 車宣龍副社長：“將以最先進技術(shù)開發(fā)核心產(chǎn)業(yè)所需的高端存儲器，引領(lǐng)面向AI的存儲器市場”

韓國首爾，2025年9月3日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）3日宣布，已將業(yè)界首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV*）引進韓國利川M16工廠，并舉行了設(shè)備入廠慶祝儀式。

* 高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV，High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography): 擁有比現(xiàn)有EUV更高數(shù)值孔徑（NA**），可大幅提升分辨率的下一代光刻機。能夠繪制當前最微細的電路圖案，預(yù)計將在縮小線寬和提升集成度方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。

** 數(shù)值孔徑（NA，Numerical Aperture)：用來衡量透鏡匯聚光線能力的數(shù)值。NA值越大，電路圖案繪制的精密度越高。

當日舉行的設(shè)備入廠慶祝儀式上，ASML韓國公司總經(jīng)理金丙燦社長、SK海力士未來技術(shù)研究院長兼技術(shù)總管（CTO，Chief Technology Officer）車宣龍副社長、SK海力士制造技術(shù)擔當李秉起副社長等領(lǐng)導(dǎo)共同出席，慶祝下一代DRAM生產(chǎn)設(shè)備的引進。

SK海力士表示：“在全球半導(dǎo)體市場競爭愈發(fā)激烈的背景下，公司已成功構(gòu)建起快速研發(fā)并供應(yīng)高端產(chǎn)品以滿足客戶需求的堅實基礎(chǔ)。通過與合作伙伴的密切協(xié)作，公司將進一步提升全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的可靠性和穩(wěn)定性?！?/span>

半導(dǎo)體制造公司為了提升產(chǎn)品性能和生產(chǎn)效率，微細制程技術(shù)的優(yōu)化顯得尤為重要。電路圖案制作越精密，每塊晶圓上可生產(chǎn)的芯片數(shù)量就越多，同時也能有效提高能效與性能。

SK海力士自2021年首次在第四代10納米級（1a）DRAM中引入EUV技術(shù)以來，持續(xù)將EUV應(yīng)用擴展至先進DRAM制造領(lǐng)域。然而，為了滿足未來半導(dǎo)體市場對超微細化和高集成度的需求，引進超越現(xiàn)有EUV的下一代技術(shù)設(shè)備必不可少。

此次引進的設(shè)備為荷蘭ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量產(chǎn)型High-NA EUV設(shè)備。與現(xiàn)有的EUV設(shè)備（NA 0.33）相比，其光學(xué)性能（NA 0.55）提升了40%，這一改進使其能夠制作出精密度高達1.7倍的電路圖案，并將集成度提升2.9倍。

SK海力士計劃通過引進該設(shè)備，簡化現(xiàn)有的EUV工藝，并加快下一代半導(dǎo)體存儲器的研發(fā)進程，從而確保在產(chǎn)品性能和成本方面的競爭力。此舉有望鞏固其在高附加值存儲器市場中的地位，并進一步夯實技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力。

ASML韓國公司總經(jīng)理金丙燦社長表示：“High NA EUV是開啟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來的核心技術(shù)。我們將與SK海力士緊密合作，積極推動下一代半導(dǎo)體存儲器技術(shù)的創(chuàng)新進程?！?/span>

SK海力士未來技術(shù)研究院長兼技術(shù)總管（CTO，Chief Technology Officer）車宣龍副社長表示：“通過此次設(shè)備引進，SK海力士為實現(xiàn)公司未來技術(shù)發(fā)展愿景奠定了核心基礎(chǔ)設(shè)施。公司將以最先進技術(shù)，為快速增長的AI和新一代計算市場開發(fā)所需高端存儲器，引領(lǐng)面向AI的存儲器市場。”