目前ASML對(duì)外大規(guī)模發(fā)售的光刻機(jī)叫做標(biāo)準(zhǔn)光刻機(jī)，也可稱(chēng)之為L(zhǎng)OW NA EUV，意思就是其數(shù)值孔徑是較低值的，所以稱(chēng)之為L(zhǎng)OW，NA=0.33。

這種光刻機(jī)主要用于7nm及以下芯片的制造，至于往下能夠支持到多少納米？ASML沒(méi)有說(shuō)。

而按照晶圓廠的做法，intel計(jì)劃在2nm時(shí)，換成新的光刻機(jī)，也就是High NA EUV光刻機(jī)。

而臺(tái)積電則計(jì)劃繼續(xù)用LOW NA EUV光刻機(jī)，并且臺(tái)積電認(rèn)為，哪怕是到1.6nm時(shí)，還會(huì)繼續(xù)使用LOW NA EUV光刻機(jī)，因?yàn)檫@樣便宜，不需要更換。

畢竟一臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)，需要3.5億歐元，而一臺(tái)LOW NA EUV只需要1.5億歐元左右，成本低很多。

那么LOW NA EUV究竟能用到什么工藝？近日，ASML攤牌了，稱(chēng)LOW NA EUV的數(shù)值孔徑是0.33，可以打印13nm左右的線寬，最多可以制造2nm的芯片。

但是，往下還可以通過(guò)多重曝光技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，但支持到2027年量產(chǎn)的1.4nm將會(huì)是極限，再多重曝光就不行了。

接下來(lái)，就必須更換光刻機(jī)，使用High NA EUV，這種光刻機(jī)的數(shù)值孔徑達(dá)到0.55，所以也稱(chēng)之為高數(shù)值孔徑光刻機(jī)。

NA=0.55時(shí)，可以打印8nm左右的線寬，這樣可以支持到2029年1nm制程的量產(chǎn)，而如果再采用多重曝光，則可以支持到2033年來(lái)量產(chǎn)的5埃米（0.5nm）制程節(jié)點(diǎn)。

然后就必須現(xiàn)的光刻機(jī)了，再下一代EUV光刻機(jī)是 Hyper NA EUV，稱(chēng)之為超級(jí)，是因?yàn)槠銷(xiāo)A=0.75，比0.55還要更高了。

而采用0.75NA的Hyper NA EUV光刻機(jī)，或許可以支持到2埃米（0.2nm）以下的制程節(jié)點(diǎn)，至于再往下，ASML自己也不清楚，會(huì)不會(huì)有也搞不清楚。

有意思的是，雖然ASML規(guī)劃了這種NA=0.75的EUV光刻機(jī)，但ASML也確定自己能不能生產(chǎn)的出來(lái)，因?yàn)锳SML自己也表示，要NA=0.75，還需攻克很多難題，目前ASML還沒(méi)有攻克的，可能需要10來(lái)年時(shí)間攻克，也許永遠(yuǎn)攻克不了。

可能很多人就有疑問(wèn)了，一個(gè)硅原子的直徑大概就在1埃米（0.1nm）左右，芯片工藝真的能夠達(dá)到0.2nm么？感覺(jué)不可能啊。

事實(shí)上，大家要弄清楚一個(gè)事實(shí)，那就是當(dāng)工藝進(jìn)入28nm之后，所有的工藝其實(shí)是等效工藝，這個(gè)0.2nm并不是指線寬，柵極寬度，金屬間距等，都與0.2nm沒(méi)有關(guān)系了，XX納米只是一種說(shuō)法，并不是一個(gè)物理指標(biāo)。

3nm時(shí)的晶體管的金屬間距為22nm（45nm/2），而0.2nm芯片，對(duì)應(yīng)的晶體管的金屬間距為大約在16-12nm，0.2nm以下制程以下，金屬間距才會(huì)進(jìn)一步縮小到14-10nm。

EUV光刻機(jī)分辨率，只要能搞定這個(gè)間距間距就可以了，所以，實(shí)際上目前關(guān)于3nm、2nm、1nm等工藝，大家也不必太認(rèn)真，只是一種營(yíng)銷(xiāo)上的說(shuō)法。

但不管怎么樣，從現(xiàn)在的情況來(lái)看，EUV光刻機(jī)機(jī)，也慢慢的走向末路了，哪怕XX納米只是營(yíng)銷(xiāo)上的說(shuō)法，也難以再前進(jìn)了……

畢竟當(dāng)0.2nm時(shí)，只有2個(gè)原子的大小了，到時(shí)候現(xiàn)有的光刻技術(shù)路線必然會(huì)終結(jié)。