5月23日臺積電突然宣布，美國商務部已給予臺積電南京工廠“無限期豁免”，即是允許臺積電南京工廠購買海外的先進光刻機等設備，此舉被認為意在壓制中國芯片。

2020年臺積電被迫暫停為中國一家芯片企業(yè)代工生產(chǎn)芯片，從那之后多家中國芯片企業(yè)無法將芯片交給臺積電以7納米以及更先進工藝生產(chǎn)。

3年后的2023年中國這家芯片企業(yè)成功生產(chǎn)出接近7納米工藝的5G芯片，重新推出5G手機，這意味著中國芯片已解決了先進工藝的技術問題，以現(xiàn)有的光刻機生產(chǎn)出接近7納米的工藝。

如此美國試圖壓制中國先進芯片的發(fā)展已經(jīng)失敗，面對中國芯片的發(fā)展，美國允許臺積電南京工廠購買先進光刻機等設備，無疑就是為了借臺積電之手，壓制中國芯片制造技術的發(fā)展。

臺積電擁有最先進的工藝，目前已經(jīng)量產(chǎn)3納米，但是此前臺積電南京工廠的最先進工藝僅為16納米，遠比臺積電在中國臺灣的工廠落后，如此就導致中國的芯片企業(yè)大多將訂單交給中國大陸的芯片制造企業(yè)。

中國大陸的芯片制造企業(yè)獲得了更多收入，就有了更多資金研發(fā)先進工藝，這幾年中國的芯片制造企業(yè)從全球獵挖人才，其中臺積電前技術負責人梁孟松就已在中芯國際擔任聯(lián)席CEO，加快了中國芯片制造技術的發(fā)展。

此時美國允許臺積電南京工廠購買先進光刻機等設備，臺積電南京工廠可望迅速量產(chǎn)7納米等先進工藝，由于臺積電的7納米工藝更成熟、技術更先進，如此可以搶走中國大陸芯片企業(yè)的訂單，減緩中國芯片制造技術的發(fā)展。

如此做法，在存儲芯片行業(yè)就曾做過，并取得了成功。2022年中國的存儲芯片率先量產(chǎn)了全球最先進的232層NAND flash，隨后美國限制這些存儲芯片企業(yè)采購先進設備，同時允許三星和SK海力士在中國大陸的工廠采購先進設備。

一年時間過去，2023年三星和SK海力士量產(chǎn)了更先進的300層NAND flash芯片，而中國的存儲芯片還停留在232層，由此三星、SK海力士和美光等取得了存儲芯片的技術優(yōu)勢，而且他們本來就在存儲芯片市場占有七成以上的份額，技術和市場的雙重壓制，讓中國存儲芯片承受了巨大的壓力。

如今在芯片制造方面，美國的做法無疑是故技重施，即是讓臺積電在中國大陸的工廠量產(chǎn)更先進的工藝，搶走中國芯片的訂單，讓中國大陸的芯片企業(yè)獲得的收入減少，自然就會放緩芯片制造技術的發(fā)展。

不過有了此前的教訓，美國的圖謀恐怕很難實現(xiàn)，中國芯片行業(yè)已深刻認識到臺積電的不可靠，只有中國大陸自己的芯片制造企業(yè)才更可信，即使臺積電南京工廠量產(chǎn)更先進的工藝，恐怕臺積電也很難取得太多的訂單，中國的芯片企業(yè)只會更加齊心協(xié)力，共同發(fā)展。