眾所周知，光刻機(jī)是當(dāng)前國產(chǎn)所有半導(dǎo)體設(shè)備中，相對最落后的一種。而光刻機(jī)又是芯片制造中，必不可少的一種，同時也是美國限制我們的一種。

所以在當(dāng)前情況之下，能不能從國外買到先進(jìn)光刻機(jī)，成為了國內(nèi)芯片制造技術(shù)能不能突破的關(guān)鍵之一了。

比如芯片工藝要進(jìn)入40nm必然使用浸潤式DUV光刻機(jī)（ArFi），但這種浸潤式DUV最多也就使用至7nm，而進(jìn)入7nm以下，必須使用EUV光刻機(jī)……

如下圖所示，ASML的光刻機(jī)型號，是對應(yīng)一代又一代芯片工藝的，理論上來講，上一代的光刻機(jī)，很難撐起一下代芯片技術(shù)。

這也是ASML營收的根本，不斷推出新光刻機(jī)，推動芯片工藝前進(jìn)。

不過大家也都清楚，目前我們買不到EUV光刻機(jī)，國內(nèi)所擁有的只有波長為193nm的ArFi光刻機(jī)，也就是浸潤式DUV光刻機(jī)。

按照ASML的說法，這種光刻機(jī)，最多也就支持到7nm，且制造7nm芯片時，還要經(jīng)過多重曝光才行，導(dǎo)致成本上升，良率下降。

那么沒有EUV光刻機(jī)，是不是意味著我們的芯片工藝，就只能鎖死在7nm，再也無法前進(jìn)了么？

而近日，有國外的半導(dǎo)體科研人員表示，193nm的浸潤式DUV光刻機(jī)，其極限絕不只是7nm，在通過多重曝光之后，是可以實(shí)現(xiàn)5nm工藝的。

并且經(jīng)過實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證，193nm的浸潤式光刻機(jī)，利用多重曝光技術(shù)，通過多次疊加和疊加修正，甚至能夠超越5nm的芯片工藝。

因?yàn)楝F(xiàn)在的芯片工藝并不是與柵極寬度是對應(yīng)的，更多的是一種等效工藝，故這種光刻機(jī)是完全可以實(shí)現(xiàn)的，當(dāng)然相比于利用EUV光刻機(jī)，確實(shí)步驟復(fù)雜一些，成本也會高一點(diǎn)，良率相應(yīng)的也降低一些。

但是，在沒有EUV光刻機(jī)的前提之下，利用這種193nm的浸潤式DUV，確實(shí)是可以生產(chǎn)5nm的芯片出來的。

不過，雖然技術(shù)是這樣，但我認(rèn)為，我們沒有必要強(qiáng)上5nm而5nm，就只制造7nm也蠻好的，因?yàn)?nm和5nm相比，性能并不會有實(shí)際性的大提升，7nm也夠用的情況下，強(qiáng)行上馬5nm并無商業(yè)意義，你覺得呢？

當(dāng)然，最終還是希望國產(chǎn)EUV光刻機(jī)早點(diǎn)推出，這才是解決問題的關(guān)鍵，一旦我們擁有了EUV光刻機(jī)，一切禁令都成為廢紙，這才是真正的終極破局之法。