據TrendForce集邦咨詢研究，三大原廠開始提高先進制程的投片，繼存儲器合約價翻揚后，公司資金投入開始增加，產能提升將集中在今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。其中，HBM由于獲利表現佳，加上需求持續(xù)看增，故生產順序最優(yōu)先。但受限于良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV產能來看，至年底HBM將占先進制程比重35%，其余則用以生產LPDDR5(X)與DDR5產品。

以HBM最新發(fā)展進度來看，TrendForce集邦咨詢表示，今年HBM3e將是市場主流，集中在今年下半年出貨。目前SK海力士（SK hynix）依舊是主要供應商，與美光（Micron）均采用1beta nm制程，兩家業(yè)者現已正式出貨給英偉達（NVIDIA）；三星（Samsung）則采用1alpha nm制程，預期今年第二季完成驗證，于年中開始交付。

預期今年DDR5、LPDDR5(X)滲透率增加，將消耗更多先進制程產能

除了HBM需求占比持續(xù)增加，PC、服務器、智能手機三大應用單機搭載容量增長，故對于先進制程的消耗量也逐季提升，其中又以服務器的容量提升最高，主要受惠于單機搭載容量1.75TB的AI服務器所帶動。而隨著Intel、AMD新平臺Sapphire Rapids、Genoa量產后，其存儲器規(guī)格僅能采用DDR5，預期今年DDR5滲透率至年底將逾50%。

與此同時，由于HBM3e出貨將集中在今年下半年，期間同屬存儲器需求旺季，DDR5與LPDDR5(X)市場預期需求也將看增。但受到2023年虧損壓力影響，原廠產能擴張計劃也較謹慎。整體而言，在HBM投片比重擴大的情況下，將使得先進制程產出有限，下半年產能配置將是供給是否充足的關鍵。


受到HBM產能排擠，若先進制程產能擴張不足，DRAM產品恐面臨供不應求

目前新廠規(guī)劃如下，三星現有廠房2024年底產能大致滿載，新廠房P4L規(guī)劃于2025年完工，同時Line15廠區(qū)將進行制程轉換，由1Ynm轉換至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年產能預計擴大，M15X同樣亦規(guī)劃于2025年完工，并于明年底量產。美光臺灣地區(qū)廠區(qū)將于明年恢復至滿載，后續(xù)產能擴張將以美國廠為主，Boise廠區(qū)預期于2025年完工并陸續(xù)移機，并計劃于2026年量產。

TrendForce集邦咨詢表示，盡管三大原廠的新廠將于2025年完工，但部分廠房后續(xù)的量產時程尚未有明確規(guī)劃，需依賴2024年的獲利，才得以持續(xù)擴大采購機臺，這也進一步推動三大原廠堅守存儲器價格今年漲勢。除此之外，由于NVIDIA GB200將于2025年放量，其規(guī)格為HBM3e 192/384GB，預期HBM產出將接近翻倍，且緊接各原廠將迎來HBM4研發(fā)，若投資沒有明顯擴大，因各家產能規(guī)劃皆以HBM為優(yōu)先，在產能排擠的效應之下，DRAM產品恐有供應不及的可能性。


2024年，存儲行業(yè)步入上行周期

眼下存儲芯片最核心的三大應用市場，即手機、PC和服務器，已基本突破了“黑暗期”。同時，以智能汽車、AI為代表的新興市場的興起，將在未來推動存儲產業(yè)的需求進一步增加。

從行業(yè)角度看，根據TrendForce預測數據，不論是DRAM還是NAND Flash，2024年的整體存儲合約均價有望呈現逐季上漲態(tài)勢，同時通過觀察以三星、SK海力士為代表的頭部存儲廠商近期業(yè)績的環(huán)比改善變化，存儲行業(yè)有望在2024年步入上行周期。

有業(yè)內人士表示，去年三、四季度是存儲大廠減產限制供應所帶動的漲價；而如今漲價主要是因為新需求增加所帶動的，接下來延續(xù)漲價沒有懸念。

此前韓國公布今年3月份芯片出口額年增35.7%，達到117億美元，創(chuàng)下2022年3月以來的最佳單月表現。這一數據也顯示出，目前半導體市場在經歷低谷之后，已經開始逐步反彈。

TrendForce集邦咨詢的統計顯示，今年一季度DRAM芯片價格較前一季度增加約20%，而NAND Flash芯片價格漲幅在23%-28%之間。展望第二季度，TrendForce預估DRAM合約價季漲幅將為3%-8%；預估第二季NAND Flash合約價季漲13%-18%。

調研機構Yole也表示，2024年DRAM市場“前景光明”，這是因為工廠利用率較低，制造商庫存已經正?；?，供需平衡已經建立。

數據中心對人工智能加速器的需求持續(xù)增長，也推動了對HBM的需求增加，HBM的平均售價約為DRAM整體平均售價的六倍。數據中心和服務器是DRAM需求最大的市場，約占2023年DRAM出貨量的50%。隨著HBM和CXL等新技術的建立，對數據中心的需求預計將進一步增長。此外，受COVID-19大流行期間購買替換PC的需求以及支持生成式AI的新型智能手機的需求的推動，消費設備對DRAM的需求也在增加。

Yole預計NAND市場將在2024年復蘇。隨著個人電腦和高端智能手機融入新一代人工智能技術，消費電子產品的需求將會增加，數據中心對固態(tài)硬盤的需求預計也會增加。制造商的過剩庫存將通過利用率管理得到消除，市場將出現輕微供應不足的情況，預計2024年全年產品價格將上漲。受此影響，下半年行業(yè)整體營業(yè)利潤率或將轉正。

可見，存儲市場迎來了第二個春天。


三大巨頭壟斷市場

國產替代任重而道遠

在經歷了2023年最低谷之后，2024年的存儲芯片迎來了曙光，事實上這個反轉在2023年4季度就開始了，那一個季度，DRAM、NAND就漲了15-20%左右。

而2024年一季度，也漲了10-15%左右，于是各大存儲芯片廠，一季度業(yè)績大增。

比如三星，其業(yè)績預告，一季度營業(yè)利潤將增長931%，為何增長這么多，原因就是存儲芯片價格大漲。

再看SK海力士，一季度營收12.4296萬億韓元，同比增長了144.3%，營業(yè)利潤2.886萬億韓元（151.8036億元人民幣），而去年同期是虧損3.4023萬億韓元。

再看美光，第一財報（截止于2月29日），營收58億美元，同比大漲58%，環(huán)比增長23%。

而這三大廠，合計拿下了全球80%以上的DRAM+NAND市場的份額，基本上代表的就是整個存儲芯片市場了。所以說，存儲芯片在經歷了一年多慘烈的下滑之后， 終于恢復上漲，活過來了，而預計接下來還會繼續(xù)漲，2024年內有望再漲30%-50%。

而這一波上漲，韓國肯定是最興奮的，因為韓國三星、SK海力士這兩大廠商就拿下了全球60%以上的份額，一旦存儲芯片上漲，自然賺的最多。韓國之后才是美國、日本……

而中國自然是最受傷的，因為中國的存儲芯片自給率不足10%，90%以上要靠進口，每年進口存儲芯片的金額超過1000億美元。

只要存儲芯片漲40%，每年就要多付出400億美元的進口金額，這就是近3000億，要是漲50%，60%呢？自然付的就更多，受傷更嚴重了，所以國產存儲芯片要加油，目前國產存儲芯片的市場份額只有5%左右，還有巨大的提升空間。