據媒體報道，SK海力士正在評估東京電子最新的低溫蝕刻設備，該設備可以在-70℃的低溫下運行，用來生成400層以上堆疊的新型3D NAND。

據了解，SK海力士此次并未直接引進設備，而是選擇將測試晶圓發(fā)送到東京電子的實驗室進行評估，以驗證新設備在生產中的實際表現。這一舉措顯示了SK海力士在新技術引入上的謹慎態(tài)度和對質量的嚴格把控。

與傳統(tǒng)的蝕刻工藝相比，東京電子的這款低溫蝕刻設備在工作溫度上形成了鮮明對比。傳統(tǒng)蝕刻工藝通常在0℃到30℃的溫度范圍內進行，而這款新設備能在-70℃的低溫下運行，這樣的低溫環(huán)境為生產更高性能的3D NAND提供了可能。

據東京電子提供的論文數據，這款新的蝕刻機能在短短33分鐘內完成10微米深的高深度比蝕刻，效率比現有工具高出三倍以上。這一顯著的技術進步不僅提高了3D NAND的生產效率，還有望進一步推動閃存技術的發(fā)展。

目前，SK海力士的321層3D NAND采用了三重堆棧結構。而采用東京電子的新設備后，該公司可能實現以單堆棧或雙堆棧的方式構建400層的3D NAND，這將進一步提升生產效率。然而，這一目標的實現還需等待新設備在可靠性及性能一致性方面的進一步驗證。

值得一提的是，東京電子的這款低溫蝕刻設備在環(huán)保方面也表現出色。它采用氟化氫（HF）氣體作為蝕刻介質，相較于傳統(tǒng)系統(tǒng)使用的氟碳化物氣體，具有更低的溫室效應，為半導體行業(yè)的綠色發(fā)展提供了有力支持。

此外，全球半導體巨頭三星也在驗證這一新技術。與SK海力士不同，三星選擇了直接引進東京電子的新設備進行測試，顯示出其對新技術的高度關注和積極態(tài)度。