目前蘋果多款芯片組采用臺(tái)積3納米制程，而根據(jù)最新報(bào)導(dǎo)，iPhone 17芯片將不會(huì)采用2納米制程，即2025年推出的A19 Pro芯片將維持3納米技術(shù)。

據(jù)報(bào)導(dǎo)，蘋果A19 Pro芯片考慮使用臺(tái)積電N3P制程，有望搭載于iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max。臺(tái)積電正致力于在2024年底前將3納米晶圓產(chǎn)能提高至10萬片，全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢指出，臺(tái)積電也希望擴(kuò)大2納米制程前景，因此新竹寶山2納米廠正按預(yù)期穩(wěn)步推進(jìn)，高雄廠也在加速發(fā)展，預(yù)期年底首次投產(chǎn)，傳兩間工廠初始產(chǎn)能落在3萬~3.5萬片。

到了2027年，兩間工廠合并產(chǎn)能將達(dá)10萬片晶圓，而臺(tái)積電2納米芯片首批客戶可能是蘋果。

臺(tái)積電早在2023年6月就開始試生產(chǎn)2納米制程，但蘋果A18 Pro可能采用N3E，搭載于iPhone 16 Pro和iPhone 16 Pro Max；至于明年問世的iPhone 17，其A19 Pro芯片可能采臺(tái)積電N3P技術(shù)。

目前預(yù)期蘋果2026年推出iPhone 18系列時(shí)，有望搭載首款2nm芯片。其他2納米客戶除蘋果外，英特爾也表示有興趣，預(yù)期AMD、Nvidia和聯(lián)發(fā)科也會(huì)跟進(jìn)。


2nm工藝按計(jì)劃2025年量產(chǎn)

臺(tái)積電之前透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級制程將按計(jì)劃于 2025 年開始量產(chǎn)。

根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱為 A14。IT之家注意到，目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數(shù)，但考慮到 N2 節(jié)點(diǎn)計(jì)劃于 2025 年底量產(chǎn)，N2P 節(jié)點(diǎn)則定于 2026 年底量產(chǎn)，因此 A14 節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將在 2027-2028 年問世。

在技術(shù)方面，A14 節(jié)點(diǎn)不太可能采用垂直堆疊互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)，不過臺(tái)積電仍在探索這項(xiàng)技術(shù)。因此，A14 可能將像 N2 節(jié)點(diǎn)一樣，依賴于臺(tái)積電第二代或第三代環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管（GAAFET）技術(shù)。

N2 和 A14 等節(jié)點(diǎn)將需要系統(tǒng)級協(xié)同優(yōu)化，才能真正發(fā)揮作用，并實(shí)現(xiàn)新的性能、功耗和功能水平。

尚不清楚臺(tái)積電是否計(jì)劃在 2027-2028 年時(shí)間段為 A14 制程采用 High-NA EUV 光刻技術(shù)，考慮到屆時(shí)英特爾（以及可能其他芯片制造商）將采用和完善下一代數(shù)值孔徑為 0.55 的 EUV 光刻機(jī)，臺(tái)積電使用這些機(jī)器應(yīng)該相當(dāng)容易。然而，由于高數(shù)值孔徑 EUV 光刻技術(shù)將掩膜尺寸減半，其使用將給芯片設(shè)計(jì)人員和制造商帶來一些額外的挑戰(zhàn)。

當(dāng)然，從現(xiàn)在到 2027-2028 年，很多事情都可能會(huì)發(fā)生變化，因此不能做出太多的假設(shè)。但可以肯定的是，臺(tái)積電的科學(xué)家和開發(fā)人員正在致力于下一代生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的研發(fā)。


三星和英特爾不甘示弱

目前，最先進(jìn)的量產(chǎn)技術(shù)是三星電子和臺(tái)積電生產(chǎn)的3nm工藝。三星于22年6月開始量產(chǎn)3nm工藝，臺(tái)積電則于23年年初開始量產(chǎn)。然而，據(jù)報(bào)道，由于對初始良品率的擔(dān)憂和半導(dǎo)體市場的低迷，3nm工藝的市場需求并未達(dá)到預(yù)期，客戶對這些高成本先進(jìn)工藝的需求減少。除了臺(tái)積電獨(dú)家生產(chǎn)蘋果PC用M3芯片和移動(dòng)應(yīng)用處理器A17之外，全球主要的無晶圓廠公司仍主要使用4nm工藝，而非3nm。

與此同時(shí)，臺(tái)積電的主導(dǎo)地位只增不減。根據(jù)市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電在全球代工市場的份額從2021年第三季度的53.1%增至2023年同期的57.9%。相比之下，三星代工廠的市場份額同期從17.1%降至12.4%。

盡管如此，英特爾和三星都更加注重在臺(tái)積電之前開發(fā)先進(jìn)工藝，而不是立即擴(kuò)大訂單。它們的戰(zhàn)略是搶占下一個(gè)市場，而不是在價(jià)格上與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者競爭。

特別是英特爾，正在積極行動(dòng)，重新進(jìn)入代工業(yè)務(wù)。它計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)20A 2nm級產(chǎn)品，并在下半年開發(fā)1.8nm級產(chǎn)品18A。去年9月，英特爾已經(jīng)推出了18A半導(dǎo)體晶圓的原型。與此相關(guān)，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備公司ASML近日在其官方社交媒體上宣布，將向英特爾交付全球首臺(tái)High-NA極紫外（EUV）設(shè)備，預(yù)計(jì)將成為2nm以下工藝的關(guān)鍵工具。去年年初，英特爾率先與ASML簽訂了該設(shè)備的合同，領(lǐng)先于三星電子和臺(tái)積電。

三星的目標(biāo)是明年開始量產(chǎn)改進(jìn)后的第二代3nm工藝，并在2025年上半年實(shí)現(xiàn)2nm工藝的量產(chǎn)。臺(tái)積電將2nm工藝的量產(chǎn)時(shí)間定為2025年下半年。