去年的中國閃存峰會CFMS 2023，與會者都關注存儲行業(yè)何時能觸底反彈。

“存儲市場規(guī)模經(jīng)歷了兩年的下滑后，2024年開始重新回到正軌?！鄙钲谑虚W存市場資訊有限公司總經(jīng)理邰煒在MemoryS（CMFS的新品牌名）上表示，“我們預計今年市場規(guī)模相比去年將提升至少42%。”

存儲是一個周期性行業(yè)，從2019年到2023年，存儲行業(yè)經(jīng)歷了供過于求-疫情-缺貨-庫存-超跌，最后以原廠主動減產(chǎn)結束。

邰煒說，“展望2024-2026年，我們認為新技術和AI應用將激發(fā)存儲的潛能，走出傳統(tǒng)的價格周期，進入新周期，這也是我們今年峰會的主題，‘存儲周期 激發(fā)潛能’?！?/span>

存儲市場觸底反彈

存儲市場在去年底就迎來了全面反彈。從市場現(xiàn)貨價格看，2023年第三季度原廠強勢減產(chǎn)并強勢拉漲價格。2023年第一季度，存儲價格再次大漲。

邰煒預測，“今年后續(xù)三個季度的價格將保持平穩(wěn)向上的趨勢。但過高過快漲的漲幅將嚴重影響終端產(chǎn)品線的規(guī)劃、打擊容量擴充的積極性，也不利于產(chǎn)業(yè)整體健康穩(wěn)定的發(fā)展?！?/span>

從原廠利潤率的維度看，2023年第一季度觸底后，2024年第四季度有非常可觀的改善，個別公司已經(jīng)開始恢復盈利。邰煒預計2024年第一季度大部分公司的利潤率都會有效扭轉。再看具體產(chǎn)品，預計2024年，NAND FLASH將超過8000億GB單量，相比去年增長20%，DRAM將達到2370億GB單量，預計增長達15%。

市場規(guī)模增長的同時，存儲技術也在向前演進。

NAND FLASH，各大原廠都繼續(xù)推出更高堆疊的產(chǎn)品，去年已經(jīng)推出了200層以上的產(chǎn)品，今年朝著300層堆疊推進，這將帶來更高的閃存容量。

“架構上看，鍵合技術逐步進入主流，這種架構產(chǎn)品隨著堆疊層數(shù)的提升，將更具成本優(yōu)勢。并且這種架構可以將更多特性使用到NAND FLASH，這也是存儲激發(fā)潛能的一種方式?！臂樛瑫r指出，隨著更多產(chǎn)品對容量的要求越來越高，QLC的應用將加速，除了傳統(tǒng)SSD產(chǎn)品，其它應用領域也將開始全面擴展。

DRAM方面，將全面進入EUV時代，下一代產(chǎn)品也將在最近1-2年內(nèi)出現(xiàn)。從產(chǎn)品和應用看，手機、PC和服務器依舊是存儲最大的三個市場，汽車市場在快速增長。在生成式AI的推動下，2023年AI服務器增長迅猛，帶動了HBM、DDR5的需求。

“2024年，服務器市場是DDR5正式邁過50%的一年，今年下半年5600速率會進入主流，同時高容量模組128GB/256GB進入服務器主流市場的障礙掃清?！臂樥f，“CXL進入實用階段，正式開始專利池的新時代，加上HBM3e進入量產(chǎn)，今年服務器內(nèi)存的升級將非常的激進?！?/span>

根據(jù)原廠的規(guī)劃，2024年HBM3e將正式量產(chǎn)。

AI服務器除了帶動高容量HBM需求，對DDR5的容量需求是普通服務器的2-4倍。這將使得未來5年AI服務器將驅動DRAM需求大增。服務器的SSD的需求也將在AI的帶動下快速增長，2024年服務器PCIe5.0 SSD的滲透率將較2023年翻倍成長，容量將達到8TB/16TB及以上。

在手機市場，UFS的市場占有率進一步提升，更高性能的UFS4.0增長更為明顯。同時，高端機型的存儲容量基本進入了512GB以及TB時代。

“今年手機平均容量將超過200GB，內(nèi)存也朝更高性能的LPDDR5演進，預計今年手機DRAM平均容量將超過7GB。”邰煒指出。

AI手機也將成為手機的新熱點，16G的 DRAM將是AI手機的最低配置，將有力的推動手機存儲的再次升級。

與AI手機對存儲的帶動一樣，AI PC預計將在2024年爆發(fā)。可以支持本地話AI模型的AI PC，需要更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更大的存儲容量和帶寬。

QLC全場景應用加速，AI PC今年或全面爆發(fā)

邰煒提到了存儲市場在技術、產(chǎn)品、市場上的幾大機遇。

首先在NAND FLASH堆疊技術上，各大原廠繼續(xù)推進更高堆疊的產(chǎn)品，去年各家均推出200層以上的產(chǎn)品，今年已經(jīng)朝300層推進，意味著閃存產(chǎn)品的容量將繼續(xù)提高。

從架構上看，鍵合技術開始逐步進入主流，這種架構的產(chǎn)品隨著堆疊層數(shù)提升，成本將更具優(yōu)勢，并且這一技術架構可以將更多特性添加到NAND FLASH里。

隨著更多的產(chǎn)品對存儲的容量需求越來越大，他預計今年QLC的應用將開始加速，除了傳統(tǒng)的SSD產(chǎn)品，其他應用領域也將得到全面擴展。

DRAM全面進入EUV時代，各原廠開始推出全新DRAM產(chǎn)品，下一代產(chǎn)品也將在這1、2年出現(xiàn)。

從產(chǎn)品上來看，以ChatGPT為代表的生成式AI推動下，AI服務器在2023年迅猛增長，也帶動HBM、DDR5需求增加，各大原廠加速推出更為先進的產(chǎn)品競爭巨大的利潤空間。

目前存儲市場最核心的應用在手機、PC和服務器上，此外以汽車為代表的新興市場也在快速增加。

在手機市場，UFS的市場占有率進一步提升并占據(jù)絕對的主導地位。尤其是更高性能的UFS4.0增長更為明顯。在容量上，現(xiàn)在高端機型已經(jīng)基本上進入512GB以及TB時代，預計今年的手機平均容量將超過200GB，今年預計全年DRAM平均容量將超過7GB。

AI手機將成為接下來手機的新熱點，將帶來更多應用和場景的變革，其中16GB DRAM將是AI手機的最低配置。

在PC市場上，去年整機需求下降使得消費類SSD需求出現(xiàn)一定下滑，但隨著存儲價格的下跌，大容量SSD的高性價比得到非常有效的體現(xiàn)，去年1TB PCIe 4.0已基本成為PC市場主流配置。

隨著新處理器平臺的導入，DDR5在2024年也將加大在PC上的應用。同時，AI PC預計在2024年全面爆發(fā)。其中，與傳統(tǒng)PC不同，AI PC最重要的是嵌入了AI芯片，形成“CPU+GPU+NPU”的異構方案，可以支持本地化AI模型，所以需要更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更大的存儲容量和帶寬。

服務器市場上，2024年是DDR5正式邁過50%的一年，同時DDR5平臺第二代CPU都在今年發(fā)布，這會推動今年下半年5600速率進入主流；同時高容量的模組128GB/256GB產(chǎn)品，因為大模型出現(xiàn)2023年需求猛增。

此外，去年最火的名詞莫過于HBM，HBM占據(jù)極大的利潤空間，也是各原廠的必爭之地。根據(jù)各原廠的規(guī)劃，2024年將正式進入到HBM3E量產(chǎn)。

隨著大模型的快速爆發(fā)，加速了對AI服務器需求，AI服務器中搭載高容量HBM，以及對DDR5的容量需求是普通服務器的2-4倍。這將使得未來5年AI服務器將驅動DRAM需求大增。

汽車作為下一個存儲的主力應用也正發(fā)生著變化：汽車隨著電動化趨勢發(fā)展進入大模塊化、中央集成化時代；伴隨著L3級及以上自動駕駛汽車逐步落地，汽車對存儲的性能和容量的要求也將急劇加大。

存儲巨頭Allin，搶占AI存儲芯片新興市場

三大存儲芯片巨頭分別瞄準不同的細分賽道,展開了一場"Allin"的布局競賽。它們無不渴望在人工智能浪潮中分一杯羹,并為此壯士斷腕般地調(diào)整業(yè)務重心、加大研發(fā)投入。

對于西數(shù)、銳凱和鎧俠等企業(yè)而言,他們之所以孤注一擲般押注AI存儲芯片,主要出于兩大動機一是搶占這一新興藍海市場,二是尋求傳統(tǒng)業(yè)務的轉型曲線。

第一,AI存儲芯片市場正處于高速增長期。據(jù)研究公司Gartner預測,到2027年,全球AI軟硬件總支出將達到2070億美元,其中數(shù)據(jù)存儲支出占比將達到10%以上。因此,存儲芯片廠商自然不愿在這個蛋糕上錯失機會。

第二,傳統(tǒng)存儲芯片市場的增長正在放緩。以西數(shù)為例,公司近年來一直受制于個人計算機和手機存儲芯片市場的低迷狀態(tài)。而通過轉型AI存儲業(yè)務,它們有望開啟新的利潤增長點。

因此,西數(shù)、銳凱和鎧俠三家公司決定通過"Allin"大手筆投資,提前搶占AI存儲芯片市場的先機。它們期望在這一新興市場取得領先地位,樹立技術和規(guī)模壁壘,從而為未來幾年的增長奠定堅實基礎。

然而,在搶灘登陸AI存儲芯片市場的道路上,存儲芯片商也將面臨諸多挑戰(zhàn)和考驗。首當其沖的,便是可能出現(xiàn)的產(chǎn)能過剩風險。存儲芯片產(chǎn)業(yè)向來具有較強的周期性,供過于求的局面時有發(fā)生。

目前,三家公司都計劃大幅擴充產(chǎn)能,這將進一步加劇供給側壓力。如果AI存儲芯片需求未如預期那般快速放量,產(chǎn)能過剩的風險將更加嚴峻。屆時,企業(yè)將不得不承受沉重的資本開支和運營成本負擔。

此外,技術路線的選擇也是一大挑戰(zhàn)。存儲芯片要滿足AI對超高容量、超高速度、超高可靠性等多重需求,技術復雜度之高前所未有。西數(shù)、銳凱和鎧俠在NAND閃存、3D堆棧、Optane等技術路線上的優(yōu)先級和投資取舍,將直接關系到它們在AI存儲芯片賽道上的未來表現(xiàn)。

因此,業(yè)內(nèi)人士普遍認為,盡管搶占AI存儲芯片市場機遇誘人,但存儲芯片商想要成功"Allin"并非易事。它們需要縝密規(guī)劃,做好充分的準備,以應對技術和市場的雙重挑戰(zhàn)。