? 首款采用新技術(shù)的 STM32 微控制器將于 2024 下半年開始向部分客戶出樣片
? 18nm FD-SOI制造工藝與嵌入式相變存儲器(ePCM)組合，實現(xiàn)性能和功耗雙飛躍

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進(jìn)化。這項新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠共同開發(fā)，使嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗實現(xiàn)巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數(shù)字外設(shè)?；谛录夹g(shù)的下一代 STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)字IC和射頻產(chǎn)品部總裁Remi El-Ouazzane表示：“作為處于半導(dǎo)體行業(yè)前沿的創(chuàng)新企業(yè)，意法半導(dǎo)體率先為客戶帶來汽車級和航天級FD-SOI和PCM技術(shù)。我們的下一步行動是，從下一代 STM32 微控制器開始，讓工業(yè)應(yīng)用開發(fā)者也能享受到這兩項先進(jìn)技術(shù)帶來的諸多好處。”

技術(shù)優(yōu)勢

與目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 技術(shù)相比，集成 ePCM 的18nm FD-SOI制造工藝極大地提高了關(guān)鍵的品質(zhì)因數(shù)：

? 性能功耗比提高 50% 以上
? 非易失性存儲器 (NVM)密度是現(xiàn)有技術(shù)的2.5 倍，可以在片上集成容量更大的存儲器
? 數(shù)字電路密度是現(xiàn)有技術(shù)的三倍，可以集成人工智能、圖形加速器等數(shù)字外設(shè)，以及最先進(jìn)的安全保護(hù)功能
? 噪聲系數(shù)改善 3dB，增強(qiáng)了無線 MCU 的射頻性能

該技術(shù)的工作電源電壓是3V，可以給電源管理、復(fù)位系統(tǒng)、時鐘源和數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器等模擬功能供電，是20 納米以下唯一支持此功能的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。

該技術(shù)的耐高溫工作、輻射硬化和數(shù)據(jù)保存期限已經(jīng)過汽車市場的檢驗，能夠滿足工業(yè)應(yīng)用對可靠性的嚴(yán)格要求。