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三星將提高非存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域投資:與臺(tái)積電高通競(jìng)爭(zhēng) 計(jì)劃投入1514億美元

2021-05-14 來源:財(cái)經(jīng)網(wǎng)
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 5月14日消息,據(jù)報(bào)道,在芯片代工方面,雖然三星電子的份額與臺(tái)積電相比有不小的差距,但在制程工藝方面,他們是唯一能基本跟上臺(tái)積電節(jié)奏的廠商,7nm 和 5nm 制程工藝,量產(chǎn)時(shí)間都只是略晚于臺(tái)積電。

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  從外媒最新的報(bào)道來看,三星電子將提高在芯片代工等非存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的投資。

  外媒的報(bào)道顯示,三星電子在周四表示,到 2030 年,他們將在非存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域投資 171 萬億韓元,折合約 1514.5 億美元,較此前計(jì)劃的 133 萬億韓元有明顯增加。

  從外媒的報(bào)道來看,三星電子是在一份聲明中,宣布他們將加大在非存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的投資的。增加投資,是希望在芯片代工方面同臺(tái)積電展開競(jìng)爭(zhēng),與高通在智能手機(jī)處理器方面展開競(jìng)爭(zhēng)。增加投資后,他們就將加速在先進(jìn)芯片制程工藝方面的研發(fā)和生產(chǎn)線的建設(shè)。



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