據(jù)彭博社報道，三星電子將獲得美國《芯片法案》超60億美元的補(bǔ)貼。而美國政府做出這一計劃出于支持三星在德克薩斯州的項目投資所作。

報道補(bǔ)充道：“美國聯(lián)邦政府的資金支援將與美國國內(nèi)相當(dāng)規(guī)模的追加投資并行”，“不確定追加投資將在何處執(zhí)行。”不過這一金額超過了美國政府計劃向臺積電補(bǔ)貼的50億美元。

2021年，三星計劃在美國德克薩斯州泰勒市投資170億美元來建設(shè)晶圓代工新工廠，據(jù)悉，由于美國當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)費(fèi)用都有所提升等原因，該新工廠預(yù)計到竣工為止，三星的投資金額將增加至200億美元左右。

臺積電計劃在美國亞利桑那州新建兩座工廠，總投資高達(dá)400億美元，第一座晶圓廠原計劃將在2024年投產(chǎn)；第二座晶圓廠也將盡快在2026年投入生產(chǎn)3nm工藝的芯片。不過臺積電已經(jīng)宣布，將推遲在美國亞利桑那州工廠的投產(chǎn)時間，臺積電董事長劉德音（Mark Liu）表示，臺積電在亞利桑那州斥資400億美元的第二工廠投資項目遇到了挑戰(zhàn)，不過工廠的建設(shè)依舊在繼續(xù)，臺積電只是將工廠落成時間線推遲至2027年或2028年，同時，該工廠將生產(chǎn)的芯片類型也尚未確定，這將受到客戶需求以及政府相關(guān)鼓勵措施的影響。

在這種情況下，三星電子獲得的補(bǔ)助金比臺積電更多，有可能與三星投資進(jìn)行速度和追加投資有關(guān)。三星電子以今年年末啟動為目標(biāo)，正在加快工廠建設(shè)速度。相反，臺積電將工廠開工時間從年末推遲到明年上半年，第二家工廠的開工時間也被推遲。拉蒙多部長上個月表示：“決定把優(yōu)先順序放在2030之前能開始運(yùn)營的項目上”，“為了支援10年后才能開工的項目，拒絕今年能取得成果的項目是沒有責(zé)任感的?！?/span>

盡管美國期望通過補(bǔ)助金來刺激更多芯片大廠來美國本土建廠，增強(qiáng)產(chǎn)能擴(kuò)增，但美國卻在補(bǔ)貼這件事上一直不盡如人意。

據(jù)悉，英特爾獲得35億美元的撥款補(bǔ)助，資金為期三年，將主要用于“Secure Enclave”（安全隔離區(qū)）計劃，其中，負(fù)責(zé)根據(jù)《芯片和科學(xué)法案》撥款的美國商務(wù)部此前只負(fù)責(zé)其中的10億美元，有消息稱，美國國防部終止了向半導(dǎo)體巨頭英特爾撥款25億美元的計劃，并將彌補(bǔ)缺口的責(zé)任推給了美國商務(wù)部。

微芯科技在今年獲得了1.62億美元，其中9000萬美元用于改善其位于科羅拉多州的工廠，另外7200萬美元用于擴(kuò)建位于俄勒岡州格雷沙姆的工廠。格芯獲得了15億美元，用于擴(kuò)大其在紐約馬耳他的現(xiàn)有晶圓廠。

美國商務(wù)部長雷蒙多表示，大多數(shù)尋求美國政府補(bǔ)貼的芯片公司，最后得到的補(bǔ)貼將大大低于他們申請的數(shù)額，因?yàn)槊绹盏搅死塾?00多份意向書，超過700億美元的補(bǔ)貼，是計劃發(fā)放補(bǔ)貼規(guī)模280億美元的兩倍多。

美國商務(wù)部目前優(yōu)先考慮扶持那些將在2030年投入運(yùn)營的項目，而不再喜歡長期項目。