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臺積電3nm晶體管密度竟然高于Intel 18A!

2024-03-13 來源: 芯智訊
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關(guān)鍵詞: 臺積電 英特爾 三星

據(jù)外媒報導(dǎo),在最近2024 SEMI International Strategy Symposium會議上,半導(dǎo)體研究機構(gòu)TechInsights分享了臺積電、英特爾、三星的尖端制程比較,顯示臺積電的3nm性能可能要優(yōu)于英特爾Intel 18A。


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英特爾計劃在今年下半年量產(chǎn)Intel 18A,并于明年推出相關(guān)產(chǎn)品,但是并沒有公布Intel 18A的能耗數(shù)據(jù)。根據(jù)TechInsights公布的數(shù)據(jù)來看,臺積電3nm(N3)制程或強化版N3E的晶體管密度分別為283MTx/mm2(每平方毫米百萬晶體管)、273MTx/mm2 ,都高于英特爾Intel 18A的195MTx/mm2。不過,英特爾Intel 18A采用背面供電(Backside power)技術(shù),對降低能耗有一定幫助,但Intel 18A大幅超越臺積電3nm性能還是不太可能。


除了英特爾,三星先跨入GAA構(gòu)架Nanosheet制程,力圖彎道超車臺積電。比較晶體管密度、性能、能耗后,同年制程三星都落后臺積電;臺積電晶體管密度也約是三星1.5倍以上;先進制程客戶數(shù)量方面,臺積電也遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過三星。


臺積電法說會說,2nm將于2025下半年量產(chǎn),3nm家族也持續(xù)擴大強化版。N3E于2023年第四季量產(chǎn)后,之后還有N3P和N3X,近期AI需求激增,也支持節(jié)能運算需求加速成長,又使3奈米家族營收占比提高。


日前IFS Direct Connect英特爾分享「四年五節(jié)點」最后節(jié)點Intel 18A制程后計劃,公布新制程,新增Intel 14A-E和數(shù)個專業(yè)節(jié)點強化版。照英特爾計劃,Intel 14A最快2026年量產(chǎn),Intel 14A-E要到2027年。但英特爾還未宣布Intel 14A和Intel 14A-E產(chǎn)品。


三星2022年6月底為全球首家量產(chǎn)采用全柵極(GAA)構(gòu)架3nm的廠商,2024年量產(chǎn)第二代3nm,2025年量產(chǎn)2nm。最近三星通知客戶和合作伙伴,第二代3nm更名為2nm,韓國業(yè)界人士表示接到三星通知,2023年與三星代工廠簽訂第二代3nm協(xié)議,也會改名為2nm,近期會重新擬約。



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