據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，在最近2024 SEMI International Strategy Symposium會(huì)議上，半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights分享了臺(tái)積電、英特爾、三星的尖端制程比較，顯示臺(tái)積電的3nm性能可能要優(yōu)于英特爾Intel 18A。

英特爾計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)Intel 18A，并于明年推出相關(guān)產(chǎn)品，但是并沒有公布Intel 18A的能耗數(shù)據(jù)。根據(jù)TechInsights公布的數(shù)據(jù)來(lái)看，臺(tái)積電3nm（N3）制程或強(qiáng)化版N3E的晶體管密度分別為283MTx/mm2（每平方毫米百萬(wàn)晶體管）、273MTx/mm2 ，都高于英特爾Intel 18A的195MTx/mm2。不過(guò)，英特爾Intel 18A采用背面供電（Backside power）技術(shù)，對(duì)降低能耗有一定幫助，但I(xiàn)ntel 18A大幅超越臺(tái)積電3nm性能還是不太可能。

除了英特爾，三星先跨入GAA構(gòu)架Nanosheet制程，力圖彎道超車臺(tái)積電。比較晶體管密度、性能、能耗后，同年制程三星都落后臺(tái)積電；臺(tái)積電晶體管密度也約是三星1.5倍以上；先進(jìn)制程客戶數(shù)量方面，臺(tái)積電也遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)三星。

臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)說(shuō)，2nm將于2025下半年量產(chǎn)，3nm家族也持續(xù)擴(kuò)大強(qiáng)化版。N3E于2023年第四季量產(chǎn)后，之后還有N3P和N3X，近期AI需求激增，也支持節(jié)能運(yùn)算需求加速成長(zhǎng)，又使3奈米家族營(yíng)收占比提高。

日前IFS Direct Connect英特爾分享「四年五節(jié)點(diǎn)」最后節(jié)點(diǎn)Intel 18A制程后計(jì)劃，公布新制程，新增Intel 14A-E和數(shù)個(gè)專業(yè)節(jié)點(diǎn)強(qiáng)化版。照英特爾計(jì)劃，Intel 14A最快2026年量產(chǎn)，Intel 14A-E要到2027年。但英特爾還未宣布Intel 14A和Intel 14A-E產(chǎn)品。

三星2022年6月底為全球首家量產(chǎn)采用全柵極（GAA）構(gòu)架3nm的廠商，2024年量產(chǎn)第二代3nm，2025年量產(chǎn)2nm。最近三星通知客戶和合作伙伴，第二代3nm更名為2nm，韓國(guó)業(yè)界人士表示接到三星通知，2023年與三星代工廠簽訂第二代3nm協(xié)議，也會(huì)改名為2nm，近期會(huì)重新擬約。