眾所周知，目前在普通的硅芯片上，較先進(jìn)的工藝采用的都是12寸晶圓，只有一些非常成熟的芯片，才使用8寸、6寸、4寸晶圓。

可以說，芯片工藝越先進(jìn)，硅晶圓尺寸越大，因?yàn)檫@樣浪費(fèi)少，成本低。但硅晶圓尺寸越大，難度就越大，技術(shù)要求就越高。

不過，雖然普通的硅基晶圓已經(jīng)發(fā)展到了12寸，但一些特殊材料的晶圓，目前很多還在4寸、6寸、8寸的階段。

比如薄膜鈮酸鋰晶圓，目前半導(dǎo)體材料強(qiáng)國(guó)日本，以及美國(guó)，其實(shí)現(xiàn)的技術(shù)水平，也就處于6寸的水平。

薄膜鈮酸鋰晶圓是什么晶圓？它其實(shí)是光電芯片的材料之一，集成光電收發(fā)功能，在濾波器、光通訊、量子通信、航空航天等領(lǐng)域，有重要作用。

但鈮酸鋰材料脆性大，大尺寸制備非常困難，所以日本、美國(guó)才只有6寸水平，行業(yè)內(nèi)一直在研究8寸晶圓的制備水平，看誰領(lǐng)先。

而近日，全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在湖北下線，說明中國(guó)在這項(xiàng)技術(shù)上更領(lǐng)先了。

此項(xiàng)成果使用8寸SOI硅光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓，為目前全球硅基化合物光電集成最先進(jìn)技術(shù)，按照說法，接下來會(huì)很快實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)商用。

最近幾年來，隨著5G、大數(shù)據(jù)、AI等的發(fā)展，光電芯片得到了極大的關(guān)注，而鈮酸鋰因?yàn)槠洳牧咸匦员徽J(rèn)為是最理想的光子集成材料。

所以這次中國(guó)全球量產(chǎn)8寸鈮酸鋰晶圓，也意味著接下來，中國(guó)有望基于薄膜鈮酸鋰的大規(guī)模光電集成技術(shù)，引領(lǐng)行業(yè)變革。在光量子計(jì)算、大數(shù)據(jù)中心、人工智能及光傳感激光雷達(dá)等領(lǐng)域彰顯其應(yīng)用價(jià)值。

當(dāng)然，目前8寸鈮酸鋰晶圓還只是從實(shí)驗(yàn)室下線，接下來要大規(guī)模量產(chǎn)，還需要一點(diǎn)時(shí)間，我們還需要謹(jǐn)慎樂觀。但同時(shí)這件事背后，這也意味著，只要我們努力，在芯片產(chǎn)業(yè)上，一定會(huì)有各個(gè)點(diǎn)層面的的技術(shù)突破，而這些新的突破，會(huì)以點(diǎn)帶面，形成一個(gè)整體，最終助力中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)騰飛，你覺得呢？