目前在芯片制造領(lǐng)域，光刻工藝是幾乎所有晶圓廠，都采用的工藝，特別是在相對先進(jìn)一點(diǎn)的制程中，全部是光刻工藝。

而光刻工藝下，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等必不可少，其中光刻機(jī)更是重中之重，因?yàn)槠溟T檻高，研發(fā)難度，供應(yīng)鏈復(fù)雜，是所有芯片制造設(shè)備中，價(jià)格最高的設(shè)備。

更重要的是，全球僅4家廠商，能生產(chǎn)光刻機(jī)，僅ASML這一家廠商，能夠生產(chǎn)用于7nm及以下芯片的EUV光刻機(jī)。

ASML捆綁了上下游，更是坐擁無法EUV光刻專利，可以說任何一家光刻機(jī)廠，想制造出EUV光刻機(jī)來，都非常困難，ASML已經(jīng)將所有上下游綁到自己的戰(zhàn)船上了。

所以其它光刻機(jī)廠商，這幾年，基本上都是繞開EUV技術(shù)，尋找另外的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)EUV光刻機(jī)同樣的功能。

其中有幾種技術(shù)，大家也非常熟悉了，分別是NIL納米壓印，BLE電子束技術(shù)，X射線技術(shù)，以及DSA自生長技術(shù)。

這4大技術(shù)，均被認(rèn)為是最有可能，繞開EUV封鎖，實(shí)現(xiàn)7nm及以下技術(shù)的方向。

其中又在NIL納米壓印技術(shù)，進(jìn)步最為迅速，日本光刻機(jī)廠商佳能，幾年前就與SK海力士合作，推出了用于存儲芯片的NIL納米壓印機(jī)來，不過都是用于65nm這樣的工藝中。

而去年，佳能發(fā)布了最新的納米壓印半導(dǎo)體設(shè)備FPA-1200NZ2C，稱其可以用于5nm芯片的制造，不必再使用EUV了。

而近日，佳能再表態(tài)，這款納米壓印機(jī)FPA-1200NZ2C，在今年會量產(chǎn)，這種納米壓印機(jī)的成本只有EUV的10%左右，耗電量也只有EUV 技術(shù)的10%。

同時(shí)，采用納米壓印機(jī)后，其配套的設(shè)備，相比起EUV配套設(shè)備的成本，要降低40%。

佳能還表示稱，這款設(shè)備后續(xù)會持續(xù)升級，到2026年時(shí)，預(yù)計(jì)可以用于2nm芯片的制造，徹底繞開EUV光刻機(jī)方案。

當(dāng)然，由于這款納米壓印機(jī)FPA-1200NZ2C還沒徹底量產(chǎn)，所以不知道佳能是在吹牛，還是真的牛。

同時(shí)也有業(yè)內(nèi)人士表示，納米壓印技術(shù)，良率估計(jì)達(dá)不到EUV，且產(chǎn)能、效率會遠(yuǎn)低于EUV方案，所以其實(shí)并不太適配大規(guī)模的芯片制造產(chǎn)業(yè)，更適用于小批量的芯片生產(chǎn)。

但不可否認(rèn)的是，如果佳能的這種技術(shù)全面量產(chǎn)，對EUV光刻機(jī)而言，將會是一個(gè)巨大的沖擊，是真正的攪局者。

因?yàn)榻睿覀兡壳翱隙ㄊ琴I不到它，但至少也讓我們有了新的方向可以借鑒，或許接下來，我們也不一定要死磕EUV技術(shù)，你覺得呢？