記憶體模組業(yè)者傳出，DRAM原廠已發(fā)出預(yù)告第1季將調(diào)漲15~20%。李建樑攝（資料照）

繼NAND Flash從2023年下半一路強勢拉漲報價后，記憶體模組業(yè)者傳出，三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）等記憶體大廠，正規(guī)劃第1季DRAM價格調(diào)漲15~20%。

相較于2023年第4季DRAM價格相對持穩(wěn)，業(yè)界研判，上游原廠漲價焦點將從NAND轉(zhuǎn)移至DRAM，如DDR4、DDR5成下一波調(diào)漲重點，以加速改善營運虧損。

儘管市場需求尚未恢復(fù)穩(wěn)定，但記憶體業(yè)界人士透露，近期收到三星提出預(yù)告，第1季DRAM報價至少將調(diào)漲15%起跳，至于NAND漲幅雖然沒有明確提出，但預(yù)料仍將繼續(xù)調(diào)漲，記憶體價格漲勢將延續(xù)至2024年底。

此外，另有記憶體模組業(yè)者向客戶提出通知，2024年第1季預(yù)期三星、美光將相繼調(diào)漲DRAM報價約15~20%，由于12月DRAM報價僅微幅調(diào)漲2~3%，明顯低于3D TLC NAND漲幅約10%的表現(xiàn)。

隨著手機、伺服器需求逐漸回升，預(yù)計2024年DRAM市場供應(yīng)將持續(xù)緊張，從1月起將調(diào)漲DRAM新報價，藉此催促客戶須提前規(guī)劃未來使用需求量。

業(yè)界認為，邁入2024年后，DRAM漲勢風(fēng)雨欲來，先前DDR4庫存偏高，市場價格呈現(xiàn)疲弱，為了縮減營運虧損，預(yù)料2024年上半將鎖定DDR4及DDR5成為漲價主力，至于DDR3產(chǎn)能及需求相對穩(wěn)定，漲幅相對平緩。

雖然上游原廠從第1季啟動DRAM補漲行情，記憶體模組業(yè)者認為并不意外，DRAM報價調(diào)漲動能主要仍來自于上游原廠的人為操作，且內(nèi)部先前預(yù)判即將迎來單季漲幅約15~20%，近月來已陸續(xù)回補低價庫存。

預(yù)計這波DRAM漲價由三星率先發(fā)動攻勢，操作玩法幾乎與2023年第3季NAND調(diào)漲相似，但未來DRAM漲幅能否如同NAND Wafer強勁攀升，需觀察農(nóng)曆年后的市場需求表現(xiàn)。

韓系DRAM大廠在2023年下半已連續(xù)2個季度降低DRAM稼動率，但第4季晶圓產(chǎn)出進入谷底，以三星為例，第4季DRAM產(chǎn)出僅約2023年第1季的7成左右，同時也逐步增加高階制程的產(chǎn)出。

據(jù)了解，2024年第1季DRAM整體產(chǎn)能供應(yīng)仍然節(jié)制謹慎，未來供應(yīng)商將會持續(xù)減產(chǎn)成熟制程，并轉(zhuǎn)向先進制程技術(shù)。

三大DRAM廠過去DDR4採用1X或1Y奈米制程，在2023年進入產(chǎn)品結(jié)束週期（EOL），三星及SK海力士（SK Hynix）將8Gb及16Gb產(chǎn)品改以1Z奈米節(jié)點為生產(chǎn)主力。

美光的成熟制程生產(chǎn)也進入尾聲，DDR4全面推向至1α奈米制程，至于各家的DDR5 16Gb也將從1α轉(zhuǎn)向至1β奈米的先進制程。

受到淡季及工廠盤點等影響，供應(yīng)鏈需求釋出量減少，業(yè)界指出，無論是DRAM或是NAND，2023年第4季上游供貨狀況并不緊缺，但前提是要能夠接受原廠提出的價格，只要價格對了，原廠都有貨可以賣。

顯見市場實質(zhì)買氣并未復(fù)甦，短期內(nèi)交易需求較為平淡，預(yù)料第1季上半及農(nóng)曆新年前，終端市場仍存在觀望氣氛，第1~2季將是關(guān)鍵，若主要應(yīng)用出海口需求順利銜接，記憶體榮景將確定大好，產(chǎn)業(yè)供不應(yīng)求將無懸念。

業(yè)界預(yù)期，隨著上游原廠醞釀2024年第1季調(diào)漲DRAM報價，多家記憶體模組業(yè)者各自收到風(fēng)聲啟動備貨，預(yù)計供貨給OEM廠的合約價可望延后一個季度跟進，預(yù)計從第2季起將全面反映DRAM漲勢。