12月26日，兆易創(chuàng)新在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，在今年三季度末大存儲(chǔ)出現(xiàn)一些價(jià)格反彈，此反彈對(duì)利基存儲(chǔ)有一定的帶動(dòng)效應(yīng)，利基存儲(chǔ)價(jià)格也在筑底并有微弱反彈。NOR Flash和SLC Nand Flash價(jià)格基本已經(jīng)趨于平穩(wěn)，價(jià)格真正有效的反彈還要再持續(xù)觀察。

兆易創(chuàng)新DRAM主要為利基型產(chǎn)品，包括小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品，也在積極開展8Gb DDR4等其他利基型DRAM產(chǎn)品研發(fā)，以補(bǔ)齊整個(gè)標(biāo)準(zhǔn)接口利基型DRAM產(chǎn)品線，有效支撐公司DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展，滿足客戶需求。

其中，SPI NAND Flash產(chǎn)品在消費(fèi)電子、工業(yè)、汽車電子等領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全品類的產(chǎn)品覆蓋，公司Parallel NAND Flash產(chǎn)品可覆蓋1Gb~8Gb四個(gè)容量范圍，為工業(yè)、通訊、以及消費(fèi)類電子提供豐富、高速、高可靠的方案選擇。