12 月 12 日消息，根據(jù)集邦咨詢最新報告，受到三星加入競爭、臺積電提高產(chǎn)能，以及部分 CSP 更改設(shè)計(jì)這三大因素影響，將極大緩解先進(jìn)封裝產(chǎn)能供應(yīng)緊張情況。

業(yè)界人士認(rèn)為，當(dāng)前全球 AI 芯片產(chǎn)能吃緊，其中最主要的原因是先進(jìn)封裝產(chǎn)能不足。而由于三大因素，先進(jìn)封裝產(chǎn)能荒的情況有望提前結(jié)束。

三星加入競爭

在美光和 SK 海力士之外，三星正計(jì)劃推進(jìn) HBM 技術(shù)。三星公司通過加強(qiáng)和臺積電的合作，兼容 CoWoS 工藝，擴(kuò)大 HBM3 產(chǎn)品的銷售。

三星于 2022 年加入臺積電 OIP 3DFabric 聯(lián)盟，將擴(kuò)大其工作范圍，為未來幾代 HBM 提供解決方案。

臺積電提高產(chǎn)能

臺積電與 OSAT（Outsourcing Semiconductor Assembly And Test）的持續(xù)合作正在加速 WoS 產(chǎn)能擴(kuò)張。

英偉達(dá)在最近的一次財經(jīng)電話會議上證實(shí)，它已經(jīng)認(rèn)證了其他 CoWoS 先進(jìn)封裝供應(yīng)商的能力作為備援。

業(yè)界推測，認(rèn)證其他 CoWoS 先進(jìn)封裝供應(yīng)商的部分前段與后段產(chǎn)能，有助臺積電與伙伴明年第 1 季度 CoWoS 月產(chǎn)能達(dá)到約 4 萬片的目標(biāo)。

部分 CSP 更改設(shè)計(jì)

業(yè)內(nèi)人士指出，早期 AI 芯片短缺主要源于三個因素：先進(jìn)封裝能力不足、HBM3 內(nèi)存容量緊張、部分 CSP 反復(fù)下單。現(xiàn)在，與這些因素相關(guān)的障礙正在逐漸被克服。

從報道中獲悉，除了臺積電和三星承諾提高先進(jìn)封裝產(chǎn)能外，CSP 還在調(diào)整設(shè)計(jì)，減少先進(jìn)封裝的使用，并取消之前的重復(fù)訂單 —— 所有這些都是關(guān)鍵因素。