根據(jù)韓媒 Business Korea 報道，市場內(nèi)部人士透露，隨著中國大陸加大對存儲器產(chǎn)業(yè)的支持力度，過去幾年已經(jīng)有了長足的進步，在 NAND 閃存方面，和三星、SK 海力士等全球領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)差距縮短到 2 年。

該業(yè)內(nèi)人士指出：“雖然 DRAM 依然保持 5 年以上的技術(shù)差距，不過由于 NAND 技術(shù)壁壘較低，中國企業(yè)在大力扶持下快速追趕，不斷縮小差距。中國企業(yè)的 NAND 產(chǎn)品雖然在市場競爭力上還存在不足，但顯然加快了追趕速度”。

報道中特別提及了長江存儲，該公司在 2022 年閃存峰會（FMS）上，正式發(fā)布了基于晶棧 3.0（Xtacking 3.0）架構(gòu)的第四代 3D TLC NAND 閃存芯片，名為 X3-9070。

長江存儲宣布從 176 層到 232 層量產(chǎn)之后，遭到了外界的諸多質(zhì)疑，不過該公司用了不到 1 年的時間，成功量產(chǎn) X3-9070。

除了用于致態(tài) TiPlus7100 系列 SSD，還被用在?？低暤?CC700 2TB SSD 上，這是首個進入零售市場的 200 + 層 3D NAND 閃存解決方案，領(lǐng)先于三星、美光、SK 海力士等廠商。

報道中還指出，隨著半導體電路的小型化接近極限，中國企業(yè)正抓住先進封裝（Efficient packaging）這個機會，進一步縮小技術(shù)差距。

在半導體業(yè)內(nèi)，先進封裝主要封裝多個芯片，從而提高性能，被認為是克服挑戰(zhàn)的關(guān)鍵。

中國大陸在半導體封裝領(lǐng)域占有第二大市場份額，IT之家援引市場研究公司 IDC 的數(shù)據(jù)，去年長電科技、通富微電和華天科技三家公司進入全球前 10 大半導體封裝（OSAT）公司，而韓國沒有一間公司出現(xiàn)在榜單上。


NAND閃存已經(jīng)發(fā)明36年

NAND閃存在當今社會中已隨處可見，無論是在PC還是智能手機，或者其他日常生活中的各種電子產(chǎn)品。改變世界的NAND閃存來自于日本，東芝作為發(fā)明者于1987年推出了全球首個NAND閃存芯片，至今已有36年了。鎧俠（Kioxia）是東芝原業(yè)務(wù)的繼承者，目前仍是世界上最具規(guī)模的NAND閃存芯片生產(chǎn)商之一。

如果將時間撥回到1987年，或許很難想象NAND閃存會得到如此廣泛的應(yīng)用，對世界科技發(fā)展有如此深刻的影響。經(jīng)過了35年的發(fā)展，NAND閃存的規(guī)模已達到了700億美元。芯片存儲密度也從4Mb發(fā)展到了1.33Tb，增長了333000倍。NAND閃存的出現(xiàn)，使得不少電子產(chǎn)品最終得到了普及，從早期的數(shù)碼相機、條形碼掃描儀和個人數(shù)字助理（PDA），到現(xiàn)今的智能手機、平板電腦、車載信息娛樂系統(tǒng)和可穿戴設(shè)備等。若沒有NAND閃存，或許有些產(chǎn)品根本不會存在。

鎧俠美國公司高級副總裁兼首席營銷官Scott Nelson表示，NAND閃存改變了游戲規(guī)則，并且經(jīng)受住了時間的考驗。未來鎧俠還將引領(lǐng)前進的道路，繼續(xù)投資和發(fā)展NAND閃存技術(shù)，使其存儲密度更高、成本更低，進一步豐富生活中的各種應(yīng)用。

長江存儲實現(xiàn)全球領(lǐng)先

眾所周知，在3D NAND閃存領(lǐng)域，有三大巨頭，分別是三星、美光、SK海力士，這三大巨頭，差不多壟斷了全球的閃存市場。

不過2022年，中國大陸也有一家閃存廠商崛起了，那就是長江存儲，長江存儲是全球第一家量232層堆疊的閃存廠商，比三星、SK海力士、美光還領(lǐng)先。

在3D NAND閃存領(lǐng)域，232層堆疊是一項技術(shù)指標，因為對于3D NAND閃存而言，在工藝進入16nm后，就無法再一味的進行平面的工藝微縮了，比如提升到14nm、12nm等，這會導致閃存非常不穩(wěn)定。

所以為了提升存儲密度，大家是通過3D堆疊，即上下多層堆疊技術(shù)，而232層堆疊，即實現(xiàn)了232層堆疊，后續(xù)還會有更高的層數(shù)。

而評價存儲芯片的性能指標，有幾個參數(shù)，比如穩(wěn)定性、讀取速度，存儲密度等。

近日，知名的芯片分析機構(gòu)TechInsights，對長江存儲（YMTC）、三星、SK海力士和美光最新的NAND Flash閃存芯片進行了比較，想要看看誰的存儲密度更高。

先說三星，目前三星176層3D NAND的存儲密度是10.87Gb/mm2，而三星的到232/238層的閃存，還沒量產(chǎn)

再說SK海力士，目前其176層的存儲密度為11.01 Gb/mm2，而232層的閃存還沒量產(chǎn)，所以數(shù)據(jù)未知。

美光的176層產(chǎn)品的存儲密度為10.27 Gb/mm2，而其最新量產(chǎn)的232層芯片位元密度則為14.60 Gb/mm2。

最后再說說長江存儲的產(chǎn)品，按照TechInsights的測量，232層的產(chǎn)品已經(jīng)達到了15.03Gb/mm2，為目前最高的密度。

存儲密度越高，意味著成本越低，因為可以在同樣大小的硅晶圓片內(nèi)，實現(xiàn)更大的容量，這也代表著技術(shù)的先進性。

國產(chǎn)存儲芯片利基市場

目前，無論是DRAM還是NAND Flash市場，都呈現(xiàn)出海外企業(yè)寡頭壟斷的格局。我國的大部分廠商仍在與國際龍頭企業(yè)進行錯位競爭，主要聚焦在利基型市場。

早期全球領(lǐng)先的企業(yè)如三星、海力士和美光通過大量資本投入進入了DRAM存儲器領(lǐng)域，并逐步積累了顯著的市場競爭優(yōu)勢。當前全球DRAM晶圓市場目前主要由這三家企業(yè)主導。

據(jù)Omdia數(shù)據(jù)顯示，近十年來，以上三家DRAM晶圓原廠每年都需要投入數(shù)十億美元用于固定資產(chǎn)投資，且這一趨勢呈波動式增長。這充分表明，DRAM晶圓設(shè)計與制造行業(yè)有著相當高的資本門檻。

國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈布局廠商中，兆易創(chuàng)新和北京君正這兩家企業(yè)都在布局DRAM和Flash市場。兆易創(chuàng)新是國內(nèi)領(lǐng)先的半導體設(shè)計企業(yè)，其產(chǎn)品涵蓋了存儲器、微控制器和傳感器。北京君正則于2020年收購了北京矽成100%的股權(quán)，其產(chǎn)品主要包括微處理器芯片、智能視頻芯片、存儲芯片和模擬與互聯(lián)芯片。此外，普冉股份是國內(nèi)非易失性存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先芯片設(shè)計企業(yè)之一，其主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM。普冉股份憑借其獨特的SONOS工藝和40nm的領(lǐng)先制程，在中小容量領(lǐng)域具有突出的低功耗和高性價比優(yōu)勢。