國產(chǎn)光刻機(jī),只差最后一項(xiàng)技術(shù),就要搞定浸潤式,實(shí)現(xiàn)7nm了?
實(shí)話實(shí)說,對于中國大陸的芯片制造產(chǎn)業(yè)而言,目前的首要任務(wù)肯定不是像臺積電、三星一樣搞定3nm,而是腳踏實(shí)地,先把14nm、7nm產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)現(xiàn)全部國產(chǎn)化。
然后再用利14nm、7nm這樣相對先進(jìn)的工藝,制造出5nm、3nm這樣性能的芯片出來,畢竟EUV光刻機(jī)買不到,我們要進(jìn)入5nm確實(shí)很困難。
不過,要實(shí)現(xiàn)14nm、7nm芯片的全部國產(chǎn)化,也有一個大困難,那就是國產(chǎn)光刻機(jī)。
普通的ArF光刻機(jī),最高支持的工藝是65nm,只有進(jìn)入浸潤式光刻機(jī),也就是ArFi光刻機(jī),最高才能支持到7nm這個級別,所以要想14nm、7nm芯片全國產(chǎn)化,浸潤式光刻機(jī)必須國產(chǎn)化。
那么問題來了,浸潤式光刻機(jī)國產(chǎn)化,我們還差多少步?
浸潤式光刻機(jī),與普通的非浸潤式ArF光刻機(jī)相比,主要在于在晶圓上方,會加入一層水,而深紫光線光源,經(jīng)過這一層水的折射時(shí),波長193nm會變成134nm,從而提高光刻精度。
而控制這層水的系統(tǒng)的叫做浸潤式系統(tǒng)。其它的結(jié)構(gòu),與普通的非浸潤式光刻機(jī)相同。
而普通的非浸潤式光刻機(jī),主要由三大關(guān)鍵部分組成,光源系統(tǒng)、物鏡系統(tǒng)、工作臺。
光源系統(tǒng)采用的是193nm波長的深紫外線,這一塊上海微電子目前實(shí)現(xiàn)的光刻機(jī),采用的就是193nm波長的光源,所以光源系統(tǒng)已經(jīng)搞定。
再看物鏡系統(tǒng),這一塊是當(dāng)前光刻機(jī)的難點(diǎn),因?yàn)锳SML與卡爾蔡司獨(dú)家合作,目前國產(chǎn)的物鏡系統(tǒng)還在90nm,但有媒體報(bào)道稱,長春光電所已經(jīng)搞定了32nm,但離浸潤式光刻機(jī)的要求,還有一點(diǎn)距離。
接著看工作臺,這里并不是特別難,清華大學(xué)與華卓精科合作,推出的雙工作臺已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了10nm精度的控制,所以用于浸潤式光刻機(jī),基本上也沒問題了。
至于浸潤式系統(tǒng)這一塊,主要由控制軟件、液態(tài)傳感器、控制器等組成,之前有媒體報(bào)道稱啟爾機(jī)電在浸液控制系統(tǒng)上取得了重大突破,可以用于浸潤式光刻機(jī)了。
可見,真正卡住的只有物鏡系統(tǒng)了,一旦物鏡系統(tǒng)突破,那么國產(chǎn)浸潤式光刻機(jī)就能夠搞定了,那么實(shí)現(xiàn)最高7nm芯片的全國產(chǎn)化,也就不那么困難了。
至于國產(chǎn)EUV光刻機(jī),那就物鏡系統(tǒng)、工作臺、EUV光源都要解決,所以大家先別急,等浸潤式光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化再說,路得一步一步走。
