近日，華為發(fā)布了一款具有革命性的DriveONE800V碳化硅黃金動力平臺，這款產(chǎn)品搭載高轉(zhuǎn)速電機(jī)，提供超強(qiáng)的性能和駕乘體驗(yàn)，無疑將為新能源汽車市場帶來一場革命。

這款DriveONE800V碳化硅黃金動力平臺的交流異步電機(jī)擁有150kW的功率，智能輔驅(qū)算法可以在各種路況下發(fā)揮出超強(qiáng)的性能，提高18km的續(xù)航能力。無論是城市駕駛還是高速公路，都能讓你輕松應(yīng)對。

永磁同步電機(jī)也是這款平臺的亮點(diǎn)之一。它的功率高達(dá)215kW，采用扁線繞組和高壓SiC模組，達(dá)到行業(yè)最高的22000rpm轉(zhuǎn)速，高效率達(dá)到98%，處于行業(yè)領(lǐng)先水平。這意味著在駕駛過程中，你可以享受到更快的加速和更輕松的超車體驗(yàn)。

更令人驚喜的是，這款DriveONE800V碳化硅黃金動力平臺的售價(jià)不到三分之一就能讓你享受超跑般的駕乘體驗(yàn)。這無疑是一個極具吸引力的選擇，無論是對于環(huán)保人士還是對于追求性能的車迷來說，都是一個不可錯過的選擇。

華為DriveONE800V碳化硅黃金動力平臺的發(fā)布，無疑走在新能源汽車技術(shù)的最前沿。它的高轉(zhuǎn)速電機(jī)、智能輔驅(qū)算法以及高效的永磁同步電機(jī)都展現(xiàn)了華為在新能源領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

隨著全球?qū)Νh(huán)保和可持續(xù)發(fā)展的重視，新能源汽車市場的前景越來越廣闊。而華為的這款DriveONE800V碳化硅黃金動力平臺，無疑將為這個市場帶來更多的可能性。


碳化硅與800V是“絕配”

碳化硅的崛起，跟汽車行業(yè)正在推進(jìn)的800V高壓平臺系統(tǒng)算是“絕配”。在800V高壓平臺趨近的趨勢下，行業(yè)預(yù)計(jì)，未來幾年SiC功率元器件將隨著800V平臺的大規(guī)模上車進(jìn)入快速爆發(fā)階段。

為什么這么說？因?yàn)?，?00V甚至更高水平的平臺上，原本的硅基IGBT芯片達(dá)到了材料極限，碳化硅則具備耐高壓、耐高溫、高頻等優(yōu)勢，無疑是IGBT最佳的替代方案。

作為今年熱炒的第三代功率半導(dǎo)體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）應(yīng)用在更高階的高壓功率元器件以及高頻通訊元器件領(lǐng)域，代表5G時(shí)代的主要材料。特別是碳化硅，可謂集“萬千寵愛于一身”。

當(dāng)然，碳化硅面臨的一大挑戰(zhàn)是它高企的價(jià)格。而如何確保以碳化硅芯片實(shí)現(xiàn)的成本節(jié)約效益，蓋過碳化硅芯片較高生產(chǎn)成本這一不利因素，就成為當(dāng)下最重要的任務(wù)。

俗話說，榜樣的力量是無窮的，就像特斯拉所做的那樣——特斯拉數(shù)年來在功率控制芯片中使用碳化硅，效果是能量損失減少，造就更強(qiáng)大的發(fā)動機(jī)，提升續(xù)航里程，從TCO（總體擁有成本）的角度來講，單車成本反而下降了不少。

實(shí)際上，當(dāng)下SiC+800V大熱，說不清是碳化硅成就了800V，還是800V成就了碳化硅，我們能確定的是，接下來，碳化硅替代IGBT正在成為主流。

從價(jià)格方面來說，目前國際上SiC價(jià)格是對應(yīng)硅基產(chǎn)品的5~6倍，并以每年10%的速度下降。據(jù)預(yù)測，隨著未來2~3年市場供應(yīng)加大，預(yù)計(jì)價(jià)格達(dá)到對應(yīng)硅基產(chǎn)品的2~3倍時(shí)，由系統(tǒng)成本減少和性能提升帶來的優(yōu)勢，將推動SiC逐步替代硅基IGBT等產(chǎn)品。

按照《華爾街日報(bào)》的報(bào)道，“研究者估計(jì)，根據(jù)電動車種類的不同，碳化硅相關(guān)技術(shù)可以幫助一輛車最終節(jié)約出750美元的電池成本?！币灿腥藴y算，最終使用SiC合計(jì)大約會產(chǎn)生約2000元左右的成本降低。不過，碳化硅材料的成本要接近硅基材料，估計(jì)還要等幾年。

而碳化硅價(jià)格高的原因很簡單，因?yàn)殡y造。碳化硅為什么那么難造？可以這么說，鉆石有多硬，它就有多硬。所以，碳化硅的制造成本在短期內(nèi)依然高企。


碳化硅廠商加速布局

電動汽車800V高壓平臺的落地推動車規(guī)級碳化硅快速發(fā)展。上述業(yè)內(nèi)人士指出，目前來看，800V高壓平臺有望成為未來SiC的核心應(yīng)用產(chǎn)品，得到功率器件廠商“前所未有”的重視。

800V的高壓系統(tǒng)，需要800V—1200V的功率元器件支持。英飛凌、意法半導(dǎo)體、Wolfspeed、法雷奧、博世等功率器件廠商、汽車零部件一級供應(yīng)商（Tier1）與車企展開深入合作，加速推進(jìn)高壓碳化硅架構(gòu)上車進(jìn)程。

英飛凌2021年6月上市電動汽車逆變器碳化硅模組，應(yīng)用于現(xiàn)代汽車下一代800V電動車型?；谠撃＝M，現(xiàn)代汽車車輛續(xù)航里程提高5%以上。今年6月，英飛凌宣布推出適用于汽車應(yīng)用的新一代1200V CoolSiC MOSFET，與第一代產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品開關(guān)損耗降低25%，在實(shí)現(xiàn)高頻操作的同時(shí)，可縮小系統(tǒng)尺寸、提高功率密度。目前，該產(chǎn)品已被汽車充電系統(tǒng)供應(yīng)商科世達(dá)用于下一代車載充電機(jī)（OBC）平臺中。

意法半導(dǎo)體于2021年5月宣布，為電源模塊系統(tǒng)廠商塞米控的eMPack電動汽車電源模塊提供碳化硅技術(shù)，幫助其建立750V和1200V eMPack平臺。去年年底，意法半導(dǎo)體宣布推出新型碳化硅功率模組，并稱該模組將被現(xiàn)代集團(tuán)800V E-GMP電動車平臺采用。今年3月，英國跑車制造商邁凱倫宣布已與意法半導(dǎo)體達(dá)成合作，下一代 IPG5 800V 逆變器將搭載由后者提供的1200V SiC MOSFET模塊。

Wolfspeed為Rhombus Energy Solutions提供1200V SiC MOSFET；博世基于碳化硅模塊，在乘用車方面推出扁線800V三合一電驅(qū)動總成（電機(jī)+電控+減速器），并與江淮汽車在800V電驅(qū)、碳化硅逆變器展開全方面合作；法雷奧新開發(fā)出800V 碳化硅功率模塊，可提升5%的續(xù)航里程，同時(shí)減重約40%......

放眼市場，車規(guī)級碳化硅領(lǐng)域仍由外國半導(dǎo)體企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位。但隨著國內(nèi)新能源汽車的快速發(fā)展，也吸引了一批國內(nèi)企業(yè)積極發(fā)力。比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)、中國中車、三安光電、華潤微電子、派恩杰、芯聚能等都在布局車規(guī)級碳化硅產(chǎn)品。

根據(jù)CASA Research不完全統(tǒng)計(jì)，2022年國內(nèi)至少有14家企業(yè)推出了超過217款碳化硅MOSFET，品種較2021年增加70%，耐壓水平提高到1700V。模塊技術(shù)方面，2022年，比亞迪推出1200V/1040A碳化硅模塊，功率再創(chuàng)新高，大量應(yīng)用于比亞迪熱銷車型。芯聚能1200V APD系列碳化硅模塊已搭載主驅(qū)逆變器上車過萬臺。

對于國內(nèi)企業(yè)在800V 碳化硅器件上的進(jìn)展和挑戰(zhàn)，三安光電副總經(jīng)理陳東坡表示：“對于碳化硅器件和模塊，如果要將系統(tǒng)電壓提升到800V，那么元器件應(yīng)推升到1200V，但是1200V碳化硅MOSFET器件，目前國內(nèi)還較為欠缺。再往上游看，襯底和材料部分，目前國內(nèi)4英寸的基本可以滿足，但如果要追求性價(jià)比，降低成本的話需要往6英寸甚至8英寸延伸，目前國內(nèi)市場和國外龍頭企業(yè)還有一些差距?！?/span>