外媒報道指早已退休的臺積電前研發(fā)副總林本堅接受采訪的時候表示，美國無法阻止中國研發(fā)先進工藝，還認為中國可以利用現有設備研發(fā)更先進的5納米工藝，他的表態(tài)讓外媒相當吃驚。

林本堅如此說法在中國的華為研發(fā)出相當于7納米工藝的麒麟9000S之后，他認為中國芯片行業(yè)展現了顯著的韌性和獨創(chuàng)性，因此認為中國芯片行業(yè)不會局限于7納米工藝，更可能實現5納米工藝。

林本堅被譽為浸潤式光刻機之父，當年日本壟斷了光刻機行業(yè)，佳能、尼康合計占光刻機市場近八成的市場份額，不過這兩家日本企業(yè)研發(fā)的光刻機為干式光刻機，林本堅則提出了浸潤式光刻機。

日本光刻機企業(yè)基于自己的利益并不認同林本堅的浸潤式光刻機技術，當時陷入困境的ASML找上門來，于是臺積電和ASML合作研發(fā)浸潤式光刻機，2008年ASML的浸潤式光刻機已取得主導地位，日本的光刻機產業(yè)由此迅速敗落。

與ASML的合作不僅改變了光刻機行業(yè)，臺積電也借此實現了飛躍，芯片制造工藝取得了突破，迅速成為芯片代工行業(yè)的佼佼者，林本堅由此被譽為浸潤式光刻機之父。

中國芯片行業(yè)這幾年一直受制于光刻機，在芯片制造的諸多環(huán)節(jié)除了光刻機之外都已取得宏達突破，刻蝕機更已達到5納米水平，居于全球領先水平。

這些環(huán)節(jié)的突破，證明了中國芯片行業(yè)在技術方面具有扎實的基礎，有信心有能力推進國產芯片產業(yè)鏈的發(fā)展。

正是麒麟9000S的發(fā)布，外媒認為中國在光刻機技術方面取得了重大突破，這對于外媒可謂是震驚的消息，畢竟光刻機是一款非常復雜的機器，ASML的EUV光刻機需要10萬個部件，需要全球5000家企業(yè)合作，而中國卻能僅靠自己的產業(yè)鏈實現光刻機量產。

美國也試圖借光刻機卡中國芯片的脖子，拉攏荷蘭阻止對中國出口先進的光刻機，不過隨著華為麒麟9000S的發(fā)布，荷蘭突然在9月份給ASML許可，允許ASML對中國出口更先進的2000i光刻機。

林本堅的說法，讓外媒重新認識中國芯片產業(yè)，畢竟他對光刻機的技術研發(fā)有更深刻的認識，作為臺積電前技術研發(fā)副總更是理解芯片制造過程，他對中國芯片產業(yè)的肯定更有可信性。

光刻機是現有硅基芯片技術的重要設備，硅基芯片技術由美國主導，中國在硅基芯片技術上的研發(fā)只能是跟隨，而中國也深刻明白這一點。

為了實現彎道超車，中國除了繼續(xù)研發(fā)硅基芯片技術之外，也在其他芯片技術方面推進，例如小芯片技術、量子芯片技術等，近日清華大學又公布了一項光電模擬芯片（ACCEL），都是中國芯片在新技術方面的探索。

筆者相信，中國芯片不會永遠受制于美國技術，必然在未來開辟芯片技術新路線，彎道超車有很大的可能性，到那時候中國芯片將突破美國技術的桎梏，真正形成自己的芯片技術體系，外媒因此認為美國擋不住中國芯片發(fā)展的腳步。