眾所周知，由于美國的打壓，中國芯是在持續(xù)不斷的突破。

但大家也才都清楚，在當前摩爾定律已經見頂，臺積電、三星等領先很多，而芯片制造技術離不開EUV光刻機，ASML的EUV光刻機又不準賣，并且連浸潤式光刻機都受限了，在這樣嚴峻的情況之下，突破成本越來越高，難度越來越大。

正如張忠謀所言，半導體的全球化已死，我們要突破，就得重建整個供應鏈，這個難度確實很大，同時需要漫長的時間，非一朝一夕之功。

所以很多研究團隊，就想著換道超車，或者彎道超車，這樣繞開被專利、技術封鎖的方向，找出一條新的道路來。

比如之前的碳基芯片、光芯片、量子芯片等，就是這樣，繞開目前的硅基芯片、EUV光刻機等被高度壟斷的方向。

而近日，清華大學有研究團隊，就找到了一個新的方向，那就是光電模擬芯片。

這個方向由清華大學自動化系（戴瓊海院士、吳嘉敏助理教授）與電子工程系（方璐副教授、喬飛副研究員）聯(lián)合攻克。

這種技術基于光電深度融合計算框架，將光芯片與電芯片結合，在一枚芯片上突破大規(guī)模計算單元集成、高效非線性、高速光電接口三個國際難題。

它到底有多強？先說性能方面，算力達到目前高性能商用芯片的三千余倍，實驗中，電路部分僅采用180nm CMOS工藝，已取得比7納米制程的高性能芯片多個數(shù)量級的性能提升。

再說功耗部分，原本供現(xiàn)有芯片工作一小時的電量，可供它工作五百多年，系統(tǒng)級能效是現(xiàn)有高性能芯片的四百萬余倍。

在成本方面，其所使用的材料簡單易得，造價僅為普通硅基芯片的幾十分之一。

這種芯片，一經量產，肯定就是王炸，將徹底顛覆現(xiàn)有的半導體行業(yè)，而其相關成果，已發(fā)表在《自然》期刊上。

不過大家都清楚，任何技術從提出到量產，最后應用于實際場景之中，會是一個比較漫長的過程，而現(xiàn)在這項技術還只是在實驗室，更多的還是研究階段，至于落地應用要多久，還不清楚。

接下來希望這一技術趕緊落地使用，那么芯片產業(yè)將徹底被顛覆，我們也不用怕被卡脖子了，甚至當我們領先后，都有可能去卡美國脖子。