關(guān)于我們的芯片工藝，究竟是多少納米，爭(zhēng)論已經(jīng)好幾年了。有人說(shuō)是14nm，有人說(shuō)是10nm、7nm，反正最終也沒(méi)爭(zhēng)論出一個(gè)結(jié)果來(lái)。

不過(guò)，最近似乎有了一個(gè)結(jié)果了，那就是7nm，至于為什么是7nm，這個(gè)估計(jì)大家懂的，那就是華為mate60Pro這款手機(jī)給大家揭開(kāi)謎底的，麒麟9000S芯片嘛。

很多人表示，既然就這么低調(diào)的搞定了7nm，是不是意味著接下來(lái)5nm也快了？

當(dāng)然，從理論上來(lái)講，技術(shù)是在不斷進(jìn)步的，任何封鎖都只能封鎖一時(shí)，不能封鎖永久，所以5nm肯定是能夠搞定的。

不過(guò)，從另外一方面來(lái)看，我們從之前的14nm進(jìn)入7nm確實(shí)相對(duì)容易一些，不那么難，但要進(jìn)入5nm，難度就大很多了。

我不是長(zhǎng)他人志氣，滅自己人威風(fēng)，而是從技術(shù)的發(fā)展或者顛覆性程度來(lái)看，確實(shí)是如此。

從光刻機(jī)，大家就基本能夠看出端倪來(lái)，DUV光刻機(jī)可以用于130nm-7nm工藝。而其中ArF這種干式光刻機(jī)，用于130nm-65m。而ArFi這種浸潤(rùn)式光刻機(jī)，可以用于65-7nm。

大家就基本能夠判斷出，很多的半導(dǎo)體設(shè)備，其實(shí)就像ArFi這種浸潤(rùn)式光刻要一樣，其實(shí)14nm、10nm、7nm是通用的。

比如刻蝕機(jī)也是如此，14nm、10nm、7nm工藝的也是通用的，還有一些清洗等設(shè)備，也是如此。

所以當(dāng)我們擁有14nm技術(shù)時(shí)，代表著其中已經(jīng)擁有了進(jìn)入7nm的設(shè)備基礎(chǔ)，很多設(shè)備通用，那么再不斷的調(diào)整，鉆研，突破，進(jìn)入7nm相對(duì)而言，也就不那么難了。

但進(jìn)入5nm就完全不一樣了，目前進(jìn)入5nm工藝，必須用到EUV光刻機(jī)，這種光刻機(jī)，我們從來(lái)沒(méi)有購(gòu)買(mǎi)到過(guò)。

另外與EUV光刻機(jī)配合的，又是另外整套的設(shè)備，與原來(lái)設(shè)備不相同的，比如掩膜版制造也完全不一樣了，還有清洗設(shè)備、VCD設(shè)備等等，都是全新一套的。

然后光刻膠也不一樣了，必須用到EUV光刻膠，還有一些材料等，全部要重新升級(jí)，不像原來(lái)的DUV光刻機(jī)，以及很多材料、設(shè)備能夠通用。

關(guān)鍵是現(xiàn)在對(duì)于5nm及以下工藝的設(shè)備，國(guó)內(nèi)也沒(méi)有存貨，因?yàn)橐恢币詠?lái)就是封鎖對(duì)象，買(mǎi)不到。

所以相對(duì)而言，要進(jìn)入5nm工藝，確實(shí)要比進(jìn)入7nm難一些，但不管多難，我們肯定也是要突破的，只是時(shí)間問(wèn)題。