EUV光刻的三大核心部件,我們發(fā)展到什么程度了?
關(guān)鍵詞: 光刻機(jī) 臺(tái)積電 中芯國際
最近網(wǎng)上又有眾多的關(guān)于EUV光刻機(jī)突破的消息,這些內(nèi)容真真假假,讓網(wǎng)友們沸騰了一次又一次。
但與此同時(shí),也讓網(wǎng)友們有了更多的疑問,那就是國產(chǎn)光刻機(jī),究竟發(fā)展到哪一步了?
事實(shí)上,目前門面上對外公開的技術(shù),我們最先進(jìn)的光刻機(jī)是上海微電子的SSA600/20系列,分辨率是90nm。
這是一臺(tái)DUV光刻機(jī),但是干式的那一種,光源是193nm波長的深紫外線,這種DUV光刻機(jī),其最高支持的工藝是65nm。
不過按照網(wǎng)友們的猜測,這只是對外公開的,不對外公開的肯定不止,那么究竟有沒有更先進(jìn)的光刻機(jī),這個(gè)我不去猜測,我也不清楚。
不過,我可以從光刻機(jī)的三大核心器件,來分析一下,目前這三大器件發(fā)展到什么程度了,大家根據(jù)這幾大器件來參考一下吧。
光刻機(jī)的三大核心器件,分別是光源、物鏡系統(tǒng)、工作臺(tái)。
光源很容易理解,比如193nm波長的深紫外線,然后就是13.5nm的極紫外線。其中DUV光刻機(jī),包含浸潤式光刻機(jī),均是采用193nm波長。
只是浸潤式光刻機(jī)中,在工作臺(tái)上面,會(huì)有一層水,而193nm波長的光源,經(jīng)過水時(shí)會(huì)進(jìn)行折射,等效于134nm波長的光源了。
目前國產(chǎn)光刻機(jī),采用的是193nm的光源,至于13.5nm波長的極紫外線,目前沒有搞定,前幾天清華大學(xué)的那個(gè)SSMB-EUV方案,至少目前還沒有真正搞定。
再說物鏡系統(tǒng),這里主要指的是蔡司提供給ASML的光學(xué)系統(tǒng),目前全球能夠生產(chǎn)浸潤式光刻機(jī)物鏡系統(tǒng),包括EUV光刻機(jī)物鏡系統(tǒng)的廠商,全球只有一家,那就是蔡司。
國內(nèi)有了DUV干式光刻機(jī),所有了DUV干式光刻機(jī)的物鏡系統(tǒng),之后還有浸潤式光刻機(jī)的物鏡系統(tǒng),還有EUV光刻機(jī)的物鏡系統(tǒng),這是兩個(gè)很大的坎。
最后說說工作臺(tái),工作臺(tái)由曝光臺(tái)、流量臺(tái)兩部分組成,也就是雙工作臺(tái)。目前國內(nèi)的技術(shù),也是DUV光刻機(jī)的工作臺(tái),不過據(jù)說差別不是特別大,所以這一塊應(yīng)該不是太難的點(diǎn)。
而浸潤式光刻機(jī)的工作臺(tái),又有一點(diǎn)不一樣,在工作臺(tái)上面,有一層浸潤式系統(tǒng),這個(gè)至少?zèng)]有公開資料顯示,我們有沒有搞定也不清楚了。
事實(shí)上除了這三大核心器件之外,像光束矯正器、光束形狀設(shè)置、遮光器、能量探測器等等,都是非常有難度的,并且不同的光刻機(jī),要求都不一樣,并不能通用的。
所以,網(wǎng)上什么這個(gè)突破,那個(gè)突破,也要看情況,單一的EUV光源或某件東西的突破,并不能讓整個(gè)光刻機(jī)技術(shù)突破,需要眾多的突破一起才行。
當(dāng)然,正如我前面所言,這些都是明面上的東西,也許我們特意低調(diào),悶聲發(fā)財(cái),不對外公布也是有可能的,所以本文僅供參考。
