怎么來(lái)判斷,華為麒麟9000S是7nm芯片?
關(guān)鍵詞: 華為 中芯國(guó)際 臺(tái)積電
眾所周知,最近最火的手機(jī)不是蘋(píng)果的iPhone15,而華為的Mate60系列,昨天蘋(píng)果發(fā)布會(huì)后,華為沖上熱搜就是最好的證明。
而最火的手機(jī)芯片,自然也不是蘋(píng)果的A17 Pro,而是華為麒麟9000S。
這顆芯片工藝未知,代工廠未知,GPU核未知,5G未知,基帶未知,生產(chǎn)時(shí)間未知……
不過(guò),很多人都表示,通過(guò)這顆芯片,我們可以認(rèn)為,我們的芯片制造水平已經(jīng)進(jìn)入到了7nm了,在美國(guó)的打壓之下,這真的了不起。
那么問(wèn)題就來(lái)了,既然代工廠未知,工藝未知,怎么來(lái)判定它就是一顆7nm的芯片呢?判斷偏據(jù)到底是什么?
這里就有的說(shuō)了,這個(gè)芯片工藝7nm,究竟是指哪里7nm呢?
其實(shí)在目前這個(gè)階段,這個(gè)7nm和哪里都扯不上邊,晶體管的大小、晶體管數(shù)量、柵極長(zhǎng)度、金屬間距等等,這些與芯片工藝緊密相關(guān)的參數(shù)中,沒(méi)有一個(gè)是7nm。
就拿臺(tái)積電的7nm芯片來(lái)說(shuō),MP(金屬距離)=36nm,GP(柵極長(zhǎng)度)=56nm,和7nm沒(méi)有任何關(guān)系。
事實(shí)上,以前在300nm工藝前的時(shí)候,其實(shí)芯片工藝,是與晶體管的柵極長(zhǎng)度一樣的,柵極長(zhǎng)度是多少,就是多少納米的芯片,用這種方式來(lái)說(shuō)的話,臺(tái)積電的7nm。
但后來(lái),隨著工藝越來(lái)越先進(jìn),柵極長(zhǎng)度不能同步縮小,柵級(jí)長(zhǎng)度和工藝就不對(duì)應(yīng)了,在1994年-2008年間,是柵級(jí)長(zhǎng)度小于芯片工藝, 2008年之后,是柵級(jí)長(zhǎng)度大于芯片工藝。
就像前面說(shuō)的,臺(tái)積電的7nm芯片,柵極長(zhǎng)度=56nm,臺(tái)積電的3nm芯片,柵極長(zhǎng)度=22nm。
那么怎么來(lái)確定麒麟9000S就是7nm呢?其實(shí)現(xiàn)在主要看晶體管密度。
芯片是由晶體管組成,晶體管越多,芯片性能越強(qiáng),而同樣面積下,工藝越先進(jìn),晶體管密度越高,所以晶體管密度如果大致差不多,就代表著工藝差不多。
下圖就是幾大晶圓廠,在不同工藝時(shí),其晶體管密度,單位是100Tr/mm2,也就是多少億個(gè)每平方毫米。
國(guó)外機(jī)構(gòu)TechInsights,對(duì)麒麟9000S進(jìn)行了電鏡掃描結(jié)果,計(jì)算出了其晶體管密度為98MTr/mm2,也就是0.98億個(gè)每平方毫米。
而這個(gè)數(shù)值是與臺(tái)積電7nm、三星7nm大致一致的,臺(tái)積電7nm工藝時(shí),其晶體管密度是97MTr/mm2,而三星是95MTr/mm2。
所以大家認(rèn)為麒麟9000S是7nm芯片,就是這么來(lái)的,至于是不是真的7nm工藝,那就已經(jīng)不重要了,等同臺(tái)積電7nm就足夠說(shuō)清問(wèn)題了。
