全球半導(dǎo)體供給緊張，三星電子位于南韓平澤(Pyeongtaek)的第二工廠，最快會(huì)在今年6月上線，可望提供更多晶圓代工產(chǎn)能、并生產(chǎn)更多記憶體。

BusinessKorea 報(bào)導(dǎo)，三星平澤一廠(P1)于2017年6月量產(chǎn)，該公司隨后在2018年動(dòng)工興建二廠(P2)。新廠已在去年下半使用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，量產(chǎn)第三代10納米LPDDR5行動(dòng)DRAM。

今年下半，平澤二廠將啟用新的晶圓代工產(chǎn)線和次世代V- NAND flash產(chǎn)線。三星高層透露，平澤二廠的所有產(chǎn)線，將一如預(yù)期在2021年下半投產(chǎn)。業(yè)界內(nèi)部人士透露：「據(jù)我所知，平澤二廠從2021年初開(kāi)始，持續(xù)提高運(yùn)作率」。

三星電子2020年5月新聞稿表示，平澤廠的新晶圓代工產(chǎn)線，以EUV為基礎(chǔ)的5納米產(chǎn)線為主，預(yù)定2021年下半全面啟用。新產(chǎn)線將協(xié)助三星擴(kuò)大采用最先進(jìn)的制程技術(shù)，用于5G、高效能運(yùn)算(HPC)、人工智能(AI)等。

韓國(guó)時(shí)報(bào)2020年11月報(bào)導(dǎo)，三星電子預(yù)料景氣將復(fù)蘇，據(jù)傳要增加DRAM、NAND flash、晶圓代工產(chǎn)能，準(zhǔn)備借此沖刺市占，擴(kuò)大和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。

美系資產(chǎn)組合經(jīng)理人表示：「(增產(chǎn)理由是)2021年全年DRAM、NAND將嚴(yán)重短缺，帶動(dòng)價(jià)格和獲利復(fù)蘇」。據(jù)了解三星DRAM的每月晶圓產(chǎn)能將增加3萬(wàn)片、NAND增加6萬(wàn)片、晶圓代工增加2萬(wàn)片。

增加產(chǎn)能主要在三星南韓平澤(Pyeongtaek)工廠。NH Investment分析師Do Hyun-woo說(shuō)：「三星會(huì)積極生產(chǎn)NAND記憶體，不過(guò)將對(duì)DRAM維持保守態(tài)度。由于晶圓代工芯片將短缺，2021年三星至少會(huì)對(duì)平澤廠和美國(guó)德州奧斯汀廠投資10兆韓圜」。該資產(chǎn)組合經(jīng)理人透露：「一般認(rèn)為三星不會(huì)大幅增加記憶體的晶圓產(chǎn)能，以免重蹈2018年覆轍，這次的上行循環(huán)中，(三星)增產(chǎn)作法將更理性。三星調(diào)整策略，可能是要趁數(shù)字變化、供給收緊時(shí)，搶下更大市占」。