美國(guó)的打壓，對(duì)中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的影響有多大？

我覺(jué)得在芯片制造技術(shù)上，最具代表性，那就是中國(guó)芯片制造技術(shù)，在原地已經(jīng)踏步了4年，如果沒(méi)有打壓，至少前進(jìn)了2代，但因?yàn)榇驂?，所以沒(méi)法前進(jìn)。

并且，這個(gè)原地踏步，可能還得持續(xù)很多年。

為何這么說(shuō)？給大家說(shuō)一說(shuō)具體時(shí)間、芯片工藝發(fā)展，就明白了。

2019年中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)了14nm工藝，也就是FinFET技術(shù)，這是大神梁孟松從三星離職加入中芯國(guó)際之后，中芯迅速取得的成績(jī)。

而臺(tái)積電是2015年實(shí)現(xiàn)了16nm（等同于14nm）工藝的，相當(dāng)于中芯國(guó)際落后了臺(tái)積電是4年左右。

而4年過(guò)去了，到了2023年，中芯國(guó)際的芯片工藝，還是14nm工藝，沒(méi)有前進(jìn)，這不就是原地踏步4年了么？

而按照正常邏輯，這4年，中芯國(guó)際應(yīng)該發(fā)展到什么程度？我們不說(shuō)中國(guó)速度會(huì)比臺(tái)積電、三星發(fā)展還要快，我們就拿臺(tái)積電來(lái)對(duì)比，就明白了。

2015年臺(tái)積電量產(chǎn)了16nm工藝，然后2017年量產(chǎn)了10nm工藝，2018年量產(chǎn)了7nm工藝，2019年的時(shí)候，量產(chǎn)了N7+，N7P等7nm增強(qiáng)的工藝。

可以說(shuō)，4年間，臺(tái)積電至少前進(jìn)了2代，從16nm進(jìn)入了10nm、7nm。

而按照這個(gè)速度，中芯國(guó)際正常的話，也應(yīng)該是前進(jìn)2代吧，從14nm，應(yīng)該順利的進(jìn)入了10nm、7nm工藝，這個(gè)速度與臺(tái)積電基本一致。

而在梁孟松大神的領(lǐng)導(dǎo)下，如果設(shè)備、材料等都不限，可以像臺(tái)積電一樣買到的話，估計(jì)這個(gè)速度應(yīng)該是沒(méi)有問(wèn)題的。

但是，因?yàn)槊绹?guó)的打壓，中芯國(guó)際無(wú)法正常的獲得所需要的設(shè)備，特別是光刻機(jī)等，導(dǎo)致在進(jìn)入了14nm之后，就進(jìn)入不了10nm了。

而之前購(gòu)買的一臺(tái)EUV光刻機(jī)，這么多年了都沒(méi)有交貨，因?yàn)锳SML沒(méi)有獲得許可證，導(dǎo)致中芯國(guó)際前進(jìn)的道路暫時(shí)被堵住了。

很明顯，中芯國(guó)際要從14nm工藝，繼續(xù)往10nm、7nm前進(jìn)，美國(guó)、荷蘭、日本等的設(shè)備，估計(jì)是靠不住了，必須得國(guó)產(chǎn)設(shè)備頂上來(lái)才行。