近日，全球存儲(chǔ)大廠SK海力士公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品。SK海力士表示，與232層產(chǎn)品相比，單位容量提升了41%，延遲降低了13%，性能提升了12%，功耗降低了10%，并且生產(chǎn)效率也提升了59%，算下來(lái)成本降了至少50%。

而三星也表示，自己的300+層的4D NAND閃存，即將推出，而下一代產(chǎn)品將超過(guò)400層。

同樣的還有美光，也表示即將推出300+層的NAND閃存，很明顯這三大廠，時(shí)隔一年之后，要正式進(jìn)入300層時(shí)代了。

對(duì)于NAND產(chǎn)品而言，不能一味的提升工藝，因?yàn)楣に囘_(dá)到15nm后，再提升的話，NAND閃存就不穩(wěn)定。所以廠商們轉(zhuǎn)向立體結(jié)構(gòu)，多層堆疊，NAND層數(shù)越多，意味著存儲(chǔ)密度越高，容量密度下的成本越低。

舉個(gè)簡(jiǎn)單例子，大家就能夠懂了。以前128層的1TB NAND芯片，需要200塊，那么232層時(shí)，1TB的NAND芯片，只要100塊左右，如果變成321層的話，可能只要50塊了。

所以NAND芯片廠商們，想要提升技術(shù)、降低成本的辦法，不像邏輯芯片一樣，提升工藝，而是增加層數(shù)，采用立體結(jié)構(gòu)來(lái)堆疊。

事實(shí)上，在232層這個(gè)檔次，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是全球第一家量產(chǎn)的。

去年下半年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成為全球首個(gè)量產(chǎn)232層NAND閃存的廠商，然后才是美光、SK海力士、三星。這意味著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)是真的支棱起來(lái)了。

但也正因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)太優(yōu)秀了，讓美國(guó)害怕，所以美國(guó)在去年10月份，對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行了制裁，長(zhǎng)存128層及以上NAND Flash的供應(yīng)鏈?zhǔn)艿絿?yán)重阻礙，更不要說(shuō)232層了。

先進(jìn)設(shè)備買不到，甚至已經(jīng)買到的先進(jìn)設(shè)備，后續(xù)維修、更換備件都不行，這嚴(yán)重影響到了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能，更重要的是影響到了技術(shù)發(fā)展。

而這也正是美國(guó)的目的，本來(lái)長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)全球領(lǐng)先，那么依托這個(gè)232層的技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)可以迅速搶占市場(chǎng)，贏得最為寶貴的窗口時(shí)期。

但美國(guó)的制裁一下來(lái)，這個(gè)窗口時(shí)期就沒(méi)有了，然后美光、三星、SK海力士等追了上來(lái)，直到現(xiàn)在這三大廠商，在技術(shù)上還反超了，讓長(zhǎng)存從領(lǐng)先變成了落后。

而一旦這些廠商300+層的NAND閃存推出，市場(chǎng)慢慢的就會(huì)又被這些廠商搶走。

可見，依賴別人技術(shù)的突破，真的還是有風(fēng)險(xiǎn)的，一旦別人進(jìn)行制裁，技術(shù)發(fā)展路線可能就會(huì)被打斷，從而出現(xiàn)危機(jī)。

我們需要的，還是全產(chǎn)業(yè)鏈的突破，舉個(gè)例子，如果長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層突破，是基于國(guó)產(chǎn)設(shè)備的突破，那美國(guó)的制裁將毫無(wú)意義。

所以，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體加油吧，我們不僅僅需要的是技術(shù)突破，更需要全產(chǎn)業(yè)鏈都跟上來(lái)，沒(méi)有短板才行。