按照命名法，目前只有EUV光刻機、DUV光刻機，其中DUV又分為浸潤式光刻機ArFi，干式光刻機ArF Dry。KrF光刻機、I線、G線光刻機的說法。

而這些光刻機，又對應(yīng)不同的工藝制程的，業(yè)界其實是沒有什么90nm、28nm、7nm光刻機之類的說法。

但最近，卻總有新聞?wù)f國產(chǎn)28nm光刻機要來了，所以我也搞不懂，這個28nm光刻機，究竟是屬于哪一種？猜測應(yīng)該是浸潤式光刻機中的一種吧，那為何他又是28nm呢？這個28nm是指最高工藝制程是28nm，還是指分辨率什么呢？

如果指最高工藝的話，這個28nm究竟是怎么得出來的，浸潤式不應(yīng)該是最高7nm么，而普通的ArF Dry最高一般是65nm？

然后如果指分辨率的話，如下圖所示，ASML的浸潤式光刻機NXT:1980Di分辨率為38nm，但能制造7nm芯片，這個28nm分辨率豈不是更先進(jìn)了？

所以我有一點糊涂了，搞不清楚，這個28nm光刻機，究竟是怎么回事。

另外還值得一提的，很多人總以為，有了這臺光刻機，國產(chǎn)芯片就有救了，再也不怕被卡脖子了，我覺得這事也值得商榷的，在我看來，僅有光刻機的突破，是救不了中國半導(dǎo)體的。

芯片制造，需要上百種半導(dǎo)體設(shè)備，光刻機只是產(chǎn)線上的一個主要設(shè)備，其他設(shè)備的國產(chǎn)替代和追趕同樣重要。

這是從網(wǎng)絡(luò)上得出一張圖，顯示的是幾大關(guān)鍵設(shè)備，目前國際先進(jìn)水平，與國內(nèi)先進(jìn)水平的差距情況表。

大家一看就知道，目前國內(nèi)的關(guān)鍵設(shè)備，更多還是在14nm，而光刻機公開的是在90nm，未證實的是28nm，中間還是差的有點距離的。

除了這些設(shè)備之外，芯片制造過程中，還需要幾十上百種材料，比如光刻膠、靶材、特種氣體等等，有些材料，目前僅日本能制造，比如EUV光刻膠等。

你看看，這僅僅是一臺光刻機的事情么？是眾多個與光刻機一樣重要的事情結(jié)合在一起，光刻機只是其中的一環(huán)而已。

說實話，目前美帝如果僅自己一家的力量，也搞不定14nm芯片，必須整合全球供應(yīng)鏈，一個國家想要高度國產(chǎn)化搞定芯片產(chǎn)業(yè)鏈，制造出先進(jìn)的芯片來，需要連續(xù)不斷N多年如一日地投資投資再投資。

不僅要投資半導(dǎo)體設(shè)備、材料企業(yè)，還要想辦法讓下游的企業(yè)，有動力用國產(chǎn)芯片，而芯片企業(yè)有動力購買國產(chǎn)設(shè)備、國產(chǎn)材料，這個過程需要巨額投資，更需要時間，不是一臺光刻機就能夠解決的事情。